[发明专利]封装结构、组合件结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011586881.1 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN114695325A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 刘旭唐;黄敏龙;张皇贤;蔡宗唐;陈憬儒 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 组合 及其 制造 方法
【说明书】:

本公开涉及一种封装结构、组合件结构和其制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述至少一个电路层包含至少一个互连部分。所述第一电子装置和所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方。

技术领域

本公开涉及一种封装结构、组合件结构和制造方法,且涉及一种包含加固结构的封装结构、包含封装结构的组合件结构以及制造此类结构的方法。

背景技术

在半导体组合件结构中,半导体封装结构安装到衬底上,并且散热器附接到半导体封装结构的上表面上以便耗散在运行期间从半导体封装中的半导体装置产生的热。但是,当散热器附接到半导体封装结构上时,可能会将一种按压力从散热器传输到半导体封装结构。因为半导体封装结构的刚性或硬度相对较低,所以半导体封装结构的上表面处可能会形成裂痕,这个裂痕可能会延伸或生长到半导体封装结构的内部中。如果裂痕到达半导体封装结构,那么半导体封装结构中的电路部分可能会受损或破裂,这可能会导致断路,并使得半导体封装结构不能正常运行。因此,可能会降低半导体组合件结构的良率。

发明内容

在一些实施例中,一种封装结构包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述至少一个电路层包含至少一个互连部分。所述第一电子装置和所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方。

在一些实施例中,一种组合件结构包含基底衬底、封装结构和散热器。所述封装结构电连接到所述基底衬底,并且包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述第一电子装置和所述第二电子装置通过所述布线结构电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述布线结构上及所述第一电子装置和所述第二电子装置之间。所述散热器附接到所述封装结构上。

在一些实施例中,一种制造方法包含:(a)提供布线结构与加固结构,其中所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层,所述至少一个电路层包含至少一个互连部分,且所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方;以及(b)将第一电子装置和第二电子装置电连接到所述布线结构,其中所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。

附图说明

当结合附图阅读时,根据以下详细描述,可以容易理解本公开的一些实施例的各方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1示出根据本公开的一些实施例的封装结构的俯视图。

图2示出图1的封装结构的沿着线2-2所取的截面视图。

图3示出图2中的区域“A”的放大视图。

图4示出图1的封装结构的沿着线4-4所取的截面视图。

图5示出根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的截面视图。

图6示出图5中的区域“B”的放大视图。

图7示出根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的截面视图。

图8示出根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的截面视图。

图9示出根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的截面视图。

图10示出根据本公开的一些实施例的加固结构的实例的俯视图。

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