[发明专利]一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法在审
| 申请号： | 202011587582.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112688071A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 沈方平;马可贞;徐晓苗 | 申请（专利权）人： | 苏州芯镁信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人： | 毛洪梅 |
| 地址： | 215128 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质 赫兹 阵列 传输 天线 制备 方法 | ||
1.一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于，包括如下：
S1：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；
S2：将S1中烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；
S3：向S2中的硅片表面沉积一层金属种子层；
S4：将S3中的金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；
S5：将S4中硅片的金属种子层上电镀一层复合金属层；
S6：将S5中硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；
S7：采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；
S8：将S7中制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。
2.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S1中的硅片通过RCA标准法清洗。
3.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S1中的硅片烘干温度为80℃，烘干时间为30min。
4.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S2中的硅片通过LPCVD进行沉积。
5.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S3中的硅片通过磁控溅射或者热蒸发进行沉积。
6.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S3中的金属种子层为镍铜或铬铜。
7.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层由镍和铜交替电镀，镍层和铜层的厚度为1～3:1。
8.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层表面电镀一层金。
9.根据权利要求1所述的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，其特征在于：S5中的复合金属层上预留对准窗口。
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