[发明专利]一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法

说明书

本发明提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，具体涉及到天线技术领域。本发明包括如下：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；硅片表面沉积一层金属种子层；金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；金属种子层上电镀一层复合金属层；硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。本发明提出的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低。

技术领域

本发明属于天线技术领域，具体涉及一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法。

背景技术

太赫兹频段一般意义上是指频率处于0.1-10THz范围内的电磁波。使用太赫兹频段进行无线传输,传输速率能够得到巨大提升。根据波段的不同，太赫兹天线分为圆锥喇叭天线、角锥喇叭天线、对角喇叭天线、高斯高增益天线、透镜喇叭天线、卡塞格林天线等，此类天线均为抛物面结构，存在馈源遮挡，导致信号损失，并且太赫兹电磁波受介质的阻挡，使传输天线损耗大，辐射较低。因此，现需一种能够解决上述问题的不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低。

本发明提供了如下的技术方案：

一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，包括如下：

S1：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；

S2：将S1中烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；

S3：向S2中的硅片表面沉积一层金属种子层；

S4：将S3中的金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；

S5：将S4中硅片的金属种子层上电镀一层复合金属层；

S6：将S5中硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；

S7：采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；

S8：将S7中制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。

优选的，S1中的硅片通过RCA标准法清洗。

优选的，S1中的硅片烘干温度为80℃，烘干时间为30min。

优选的，S2中的硅片通过LPCVD进行沉积。

优选的，S3中的硅片通过磁控溅射或者热蒸发进行沉积。

优选的，S3中的金属种子层为镍铜或铬铜。

优选的，S5中的复合金属层由镍和铜交替电镀，镍层和铜层的厚度为1～3:1。

优选的，S5中的复合金属层表面电镀一层金。

优选的，S5中的复合金属层上预留对准窗口。

本发明的有益的效果：

本发明具有结构剖面低，无馈源遮挡，能够有效的产生高增益波束，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低，天线结构可靠性高、耐候性强。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明的俯视图；

图2是本发明的剖视图。