[发明专利]电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，包括连接于信号输入端的输入模块以及输出模块，其特征在于，所述电路还包括连接于所述输出模块的第一高压场效应管和第二高压场效应管，所述第一高压场效应管通过第一NMOS管接地，所述第二高压场效应管通过第二NMOS管接地；所述第一高压场效应管的衬底连接于所述输入模块，所述第二高压场效应管的衬底连接于所述输入模块；所述信号输入端输入信号至所述输入模块，以接通所述第一高压场效应管或所述第二高压场效应管，所述输出模块输出转换后的高电平信号或低电平信号。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一高压场效应管的衬底通过第一电容连接于所述输入模块，所述第二高压场效应管的衬底通过第二电容接于所述输入模块。

3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述输入模块为差分输入模块，包括连接于所述信号输入端的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器还连接有第三反相器，所述第三反相器连接于所述第一电容、所述第一高压场效应管和所述输出模块；所述第二反相器还连接有第四反相器和第五反相器，所述第五反相器连接于所述第二电容、所述第二高压场效应管和所述输出模块。

4.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一电容的一端连接于所述第一高压场效应管的衬底、另一端连接于所述第三反相器输出端；所述第二电容的一端连接于所述第二高压场效应管的衬底、另一端连接于所述第五反相器的输出端。

5.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管的栅极连接于所述第一反相器的输出端、漏极连接于所述第一高压场效应管的衬底、源极接地；所述第二NMOS管的栅极连接于所述第四反相器的输出端、漏极连接于所述第二高压场效应管的衬底、源极接地。

6.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一反相器包括相互连接的第一PMOS管和第三NMOS管，所述第三反相器包括相互连接的第二PMOS管和第四NMOS管； 所述第二反相器包括相互连接的第三PMOS管和第五NMOS管，所述第四反相器包括相互连接的第四PMOS管和第六NMOS管，所述第五反相器包括相互连接的第五PMOS管和第七NMOS管；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管连接于低压电源。

7.根据权利要求6所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述信号输入端，所述第一PMOS管的源极连接于所述低压电源、漏极连接于所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地；

所述第二PMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极相互连接，并连接于所述第一NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极连接于所述低压电源，所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相互连接并连接于所述第一电容、所述第一高压场效应管的栅极和所述输出模块，所述第四NMOS管的源极接地；

所述第三PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述信号输入端，所述第三PMOS管的源极连接于所述低压电源、漏极连接于所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极接地；

所述第四PMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述第三PMOS管和所述第五NMOS管的漏极；所述第四PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相互连接、并连接于所述第二NMOS管的栅极；所述第四PMOS管的源极连接于所述低压电源，所述第六NMOS管的源极接地；

所述第五PMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极相互连接，并连接于所述第四PMOS管的漏极、所述第六NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第五PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相互连接，并连接于所述第二电容、所述第二高压场效应管的栅极和所述输出模块；所述第五PMOS管的源极连接于低压电源，所述第七NMOS管的源极接地。