[发明专利]电平转换电路

说明书

本发明公开了一种电平转换电路，涉及集成电路技术领域。该电路包括连接于信号输入端的输入模块以及输出模块，其特征在于，所述电路还包括连接于所述输出模块的第一高压场效应管和第二高压场效应管，所述第一高压场效应管通过第一NMOS管接地，所述第二高压场效应管通过第二NMOS管接地；所述第一高压场效应管的衬底连接于所述输入模块，所述第二高压场效应管的衬底连接于所述输入模块；所述信号输入端输入信号至所述输入模块，以接通所述第一高压场效应管或所述第二高压场效应管，所述输出模块输出转换后的高电平信号或低电平信号。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种电平转换电路。

背景技术

半导体存储器中通常具有电平转换电路，用于通过所述电平转换电路把逻辑信号转换为编程或擦除操作期间所必须的高电压。但是在一些情况中，要求提供可从具有较小上电压的域切换至具有较大上电压的域以及从具有较大上电压的域切换至具有较小上电压的域两者的电平转换电路，如0.9V~5V，传统的电平转换电路输出的信号占空比很差，很难满足后续电路需求。若将电路中的器件换为高压器件，则会由于低电平的电压无法启动高压器件、导致电路无法正常工作。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电平转换电路，旨在实现大范围电压差的电平转换。

为实现上述目的，本发明提供一种电平转换电路，包括连接于信号输入端的输入模块以及输出模块，所述电路还包括连接于所述输出模块的第一高压场效应管和第二高压场效应管，所述第一高压场效应管通过第一NMOS管接地，所述第二高压场效应管通过第二NMOS管接地；所述第一高压场效应管的衬底连接于所述输入模块，所述第二高压场效应管的衬底连接于所述输入模块；所述信号输入端输入信号至所述输入模块，以接通所述第一高压场效应管或所述第二高压场效应管，所述输出模块输出转换后的高电平信号或低电平信号。

优选地，所述第一高压场效应管的衬底通过第一电容连接于所述输入模块，所述第二高压场效应管的衬底通过第二电容接于所述输入模块。

优选地，所述输入模块为差分输入模块，包括连接于所述信号输入端的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器还连接有第三反相器，所述第三反相器连接于所述第一电容、所述第一高压场效应管和所述输出模块；所述第二反相器还连接有第四反相器和第五反相器，所述第五反相器连接于所述第二电容、所述第二高压场效应管和所述输出模块。

优选地，所述第一电容的一端连接于所述第一高压场效应管的衬底、另一端连接于所述第三反相器输出端；所述第二电容的一端连接于所述第二高压场效应管的衬底、另一端连接于所述第五反相器的输出端。

优选地，所述第一NMOS管的栅极连接于所述第一反相器的输出端、漏极连接于所述第一高压场效应管的衬底、源极接地；所述第二NMOS管的栅极连接于所述第四反相器的输出端、漏极连接于所述第二高压场效应管的衬底、源极接地。

优选地，所述第一反相器包括相互连接的第一PMOS管和第三NMOS管，所述第三反相器包括相互连接的第二PMOS管和第四NMOS管； 所述第二反相器包括相互连接的第三PMOS管和第五NMOS管，所述第四反相器包括相互连接的第四PMOS管和第六NMOS管，所述第五反相器包括相互连接的第五PMOS管和第七NMOS管；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管连接于低压电源。

优选地，所述第一PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极相互连接、并连接于所述信号输入端，所述第一PMOS管的源极连接于所述低压电源、漏极连接于所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地；