[发明专利]一种SRAM纠错方法、系统及终端在审
申请号: | 202011589480.1 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN114694736A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 许霞;董业民;杨文伟 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C11/413 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 徐秋平 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 纠错 方法 系统 终端 | ||
1.一种SRAM纠错方法,其特征在于:包括以下步骤:
获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值;
当所述ECC数值大于预设阈值时,提高所述SRAM的刷新频率;当所述ECC数值小于所述预设阈值时,降低所述SRAM的刷新频率。
2.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC个数。
3.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC比例。
4.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为ECC次数。
5.一种SRAM纠错系统,其特征在于:包括获取模块和纠错模块;
所述获取模块用于获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值;
所述纠错模块用于当所述ECC数值大于预设阈值时,提高所述SRAM的刷新频率;当所述ECC数值小于所述预设阈值时,降低所述SRAM的刷新频率。
6.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC个数。
7.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC比例。
8.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为ECC次数。
9.一种SRAM纠错终端,其特征在于:包括处理器及存储器;
所述存储器用于存储计算机程序;
所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序,以使所述终端执行权利要求1至3中任一项所述的SRAM纠错方法。
10.一种SRAM纠错系统,其特征在于:包括权利要求9所述的SRAM纠错终端和ECC计数器;
所述ECC计数器用于采集SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值,并阿送至所述SRAM纠错终端。
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