[发明专利]一种SRAM纠错方法、系统及终端在审

专利信息
申请号: 202011589480.1 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN114694736A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 许霞;董业民;杨文伟 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C11/413
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 徐秋平
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 sram 纠错 方法 系统 终端
【权利要求书】:

1.一种SRAM纠错方法,其特征在于:包括以下步骤:

获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值;

当所述ECC数值大于预设阈值时,提高所述SRAM的刷新频率;当所述ECC数值小于所述预设阈值时,降低所述SRAM的刷新频率。

2.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC个数。

3.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC比例。

4.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法,其特征在于:所述ECC数值为ECC次数。

5.一种SRAM纠错系统,其特征在于:包括获取模块和纠错模块;

所述获取模块用于获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值;

所述纠错模块用于当所述ECC数值大于预设阈值时,提高所述SRAM的刷新频率;当所述ECC数值小于所述预设阈值时,降低所述SRAM的刷新频率。

6.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC个数。

7.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为比特单元的ECC比例。

8.根据权利要求5所述的SRAM纠错系统,其特征在于:所述ECC数值为ECC次数。

9.一种SRAM纠错终端,其特征在于:包括处理器及存储器;

所述存储器用于存储计算机程序;

所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序,以使所述终端执行权利要求1至3中任一项所述的SRAM纠错方法。

10.一种SRAM纠错系统,其特征在于:包括权利要求9所述的SRAM纠错终端和ECC计数器;

所述ECC计数器用于采集SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值,并阿送至所述SRAM纠错终端。

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