[发明专利]一种阱离子注入方法在审
| 申请号： | 202011589507.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695093A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 | ||
1.一种阱离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；
在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；
在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；
图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；
对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；
经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。
2.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：在进行所述离子注入之前，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述底部抗反射层的厚度小于250nm。
4.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述顶部抗反射层的厚度小于100nm。
5.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述等离子体处理采用包括Ar、H、C、N、O、F、Cl中的一种或多种等离子体。
6.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：进行所述等离子体处理时对所述掩膜进行烘烤。
7.根据权利要求6所述的阱离子注入方法，其特征在于：进行所述烘烤时，加热温度为100～150℃，加热时间小于120s。
8.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述等离子体处理使所述注入窗口的侧壁向外倾斜角度为5～15°。
9.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成底部抗反射层之前，在所述半导体衬底上形成牺牲层；所述底部抗反射层形成于所述牺牲层之上。
10.根据权利要求9所述的阱离子注入方法，其特征在于：采用热氧化法形成所述牺牲层。
11.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：进行所述离子注入时，旋转所述半导体衬底，使离子从多角度注入所述半导体衬底。
12.根据权利要求11所述的阱离子注入方法，其特征在于：进行所述离子注入时，以小于2°的角度，连续地或间断地旋转所述半导体衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
