[发明专利]非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端

说明书

本发明公开了一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，接收单步测试配置；接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；获取操作测试中对应步骤的测试结果；对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合；通过每一个基本的单步步骤和单步反馈结果搭建整个擦除或者编程的各个步骤，而且是根据需要随时可以调整；在工艺平台的升级换代时，通过不同的步骤的组合，能够快速找到一种可靠性高、执行速度快的步骤组合。

技术领域

本发明涉及非易失型芯片技术领域，尤其涉及的是一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端。

背景技术

Nor Flash 芯片的内部存储单元存在较大的差异（如擦除的难以程度，数据的保持力方面，等），对Nor Flash 进行擦除或者编程时，需要经过较多的步骤才能完成整个操作。

Nor Flash芯片在经过几年的时间后，会进行工艺升级，达到单位面积内存放更多的存储单元，那么存储单元的一致性也会随着工艺的升级而变差。在新工艺测试平台上，对Nor Flash芯片进行编程或擦除操作，需要经过的步骤以及每个步骤所需要的循环的次数（如存储单元1，需要经过5次擦除或者编程才能完成操作，而存储单元2可能需要经过10次擦除或者编程才能完成操作，而存储单元3可能需要经过18次擦除或者编程才能完成操作）等会存在很大的差异（存储单元的数据保持力越强，存储单元完成相应操作需要执行的次数就越多，反之亦然）：（1）对Nor Flash芯片的存储单元执行编程或擦除操作中的某一步骤时，Nor Flash芯片内的存储单元是否可以完成以及完成的程度存在差异。（2）如果设置每个步骤所需要循环的次数过少，则难以测试出Nor Flash 芯片真实的数据保持力等性能，而设置的次数过多，则会导致Nor Flash芯片在新工艺测试平台上完成擦除和编程的时间过长，影响测试效率。

现有的做法一般是通过人工根据经验对Nor Flash芯片进行编程或擦除操作，需要经过的步骤以及每个步骤所需要的循环的次数进行设置，对测试人员的要求相对较高，而且测试效率低。所以，在Nor Flash芯片进行工艺升级后，如何快速找到一种可靠性高、执行速度快的Nor Flash芯片测试步骤组合，是一个亟待解决的问题。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，旨在解决在Nor Flash芯片进行工艺升级后，如何快速找到一种可靠性高、执行速度快的Nor Flash芯片测试步骤组合的问题。

本发明的技术方案如下：一种非易失型芯片内部单步测试方法，其中，具体包括以下步骤：

接收单步测试配置；

接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；

获取操作测试中对应步骤的测试结果；

对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合。

所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述操作包括编程操作或者擦除操作。

所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述接收单步测试配置，具体包括以下步骤：

s11：接收进入单步测试模式使能；

s12：配置操作中需要执行单步测试的步骤；

s13：复用正常执行操作时的步骤；

s14：配置操作中需要执行单步测试的步骤的判断步骤。