[发明专利]一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011590100.6 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112724635B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 陈卫;杨杰;吴腾达;刁雪峰;申应军;高翔;刘荣亮;张康;李德燊;张丰;王伟 申请(专利权)人: 金旸(厦门)新材料科技有限公司
主分类号: C08L69/00 分类号: C08L69/00;C08L51/04;C08L51/00;C08L83/04;C08L27/22;C08K5/134;C08K5/526;C08K5/103
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;游学明
地址: 361000 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 阻燃 低介电耐候 pc aes 合金材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:按重量百分比包括如下组分:

所述的共聚PC为硅氧烷共聚PC,在300℃/1.2kg条件下熔体流动速率为3-15g/10min;

所述的AES为丙烯腈-三元乙丙橡胶-苯乙烯共聚物,在220℃/10kg条件下熔体流动速率为10-20g/10min;

所述的相容剂为三元乙丙橡胶接枝马来酸酐和苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物接枝马来酸酐中的至少一种;

所述的有机硅无卤阻燃剂为聚硅氧烷和聚倍半硅氧烷中的至少一种;

所述的增韧剂为具有核壳结构的硅系增韧剂。

2.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述的三元乙丙橡胶接枝马来酸酐中马来酸酐的接枝率大于0.8%,苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物中马来酸酐的接枝率大于1.0%。

3.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述的具有核壳结构的硅系增韧剂,其中核为有机硅/丙烯酸,壳为甲基丙烯酸甲酯共聚物或苯乙烯-丙烯腈共聚物中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述聚硅氧烷包括聚甲基硅氧烷或聚甲基苯基硅氧烷;所述聚倍半硅氧烷包括聚三硅烷基苯基倍半硅氧烷或聚八苯基倍半硅氧烷。

5.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述的抗滴落剂为改性聚四氟乙烯。

6.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述抗氧剂为复配抗氧剂,其中主抗氧剂是抗氧剂1010和抗氧剂1076中的一种与辅抗氧剂是抗氧剂168和抗氧剂626中的一种,主抗氧剂与辅抗氧剂按重量比1:1-1:2复配。

7.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述光稳定剂为紫外线吸收剂UV-327、UV-329和受阻胺类光稳定剂770、光稳定剂944中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料,其特征在于:所述润滑剂为季戊四醇硬脂酸酯、单硬脂酸甘油酯、酰胺蜡或硅酮粉中的至少一种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料的制备方法,包括如下步骤:按重量百分比分别称取各组分原料,然后投入高速混合机均匀混合,接着使用双螺杆挤出机进行挤出加工,所用螺杆长径比为46-50:1,控制螺杆转速为350-450r/min,加工温度为220-240℃,经挤出造粒即可得到无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料。

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