[发明专利]QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层的材料为n型金属氧化物，所述电子传输层上修饰有一层低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述电子传输层与所述阴极之间。

2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述低表面能薄膜的材料为APTMS、TPS或TFP中的任意一种或几种混合。

3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极和所述量子点发光层之间，所述空穴传输层的材料为Poly-TPD、TFB、PVK、CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB或α-NPD中的任意一种或几种混合。

4.如权利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、HAT-CN、F₄-TCNQ、MoO₃、V₂O₅、WO₃或ReO₃中的任意一种或几种混合。

5.如权利要求1至4中任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS或ZnSe/ZnS中的一种或几种。

6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上依次沉积阳极、量子点发光层和电子传输层；

采用低表面能材料对所述电子传输层修饰，以在所述电子传输层上形成低表面能薄膜；

在所述低表面能薄膜上沉积阴极。

7.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述采用低表面能材料对所述电子传输层修饰的步骤包括：

将盛有低表面能材料的容器和所述基板放入真空装置中进行低压干燥处理；

对所述基板进行常压干燥处理。

8.如权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述低压干燥处理的气压为500Pa～20000Pa，时间为30min～60min。

9.如权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述对所述基板进行常压干燥处理的步骤包括：

将所述基板放入烘箱中进行烘烤，烘烤温度为70℃～90℃，烘烤时间为20min～40min。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的QLED器件或如权利要求6至9中任一项所述的方法制备的QLED器件。