[发明专利]QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层的材料为n型金属氧化物，所述电子传输层上修饰有一层低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述电子传输层与所述阴极之间。本发明的低表面能薄膜覆盖在电子传输层上，低表面能薄膜可以减少氧分子和水分子的附着，避免了因电子传输层吸附氧分子而出现的正向老化现象。

技术领域

本发明涉及QLED领域，尤其涉及一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置。

背景技术

QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)是将量子点制作成量子点薄层，并将该层置入于液晶显示器(LCD)的背光模组中，相较于未使用量子点薄层显示器更能降低背光亮度落失及RBG彩色滤光片的色彩串扰，进而得到更佳的背光利用率及具有提升显示色域空间的优点。QLED器件存在部分正向老化现象，这并不利于器件的开发。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，解决现有的QLED器件存在正向老化现象的问题。

为实现上述目的，本发明提出一种QLED器件，包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层的材料为n型金属氧化物，所述电子传输层上修饰有一层低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述电子传输层与所述阴极之间。

在一实施例中，所述低表面能薄膜的材料为APTMS、TPS或TFP中的任意一种或几种混合。

在一实施例中，所述QLED器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极和所述量子点发光层之间，所述空穴传输层的材料为Poly-TPD、TFB、PVK、CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB或α-NPD中的任意一种或几种混合。

在一实施例中，所述QLED器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极和所述空穴传输层之间，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、HAT-CN、F₄-TCNQ、MoO₃、V₂O₅、WO₃或ReO₃中的任意一种或几种混合。

在一实施例中，所述量子点发光层的材料为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS或ZnSe/ZnS中的一种或几种。

本发明还提供一种QLED器件的制备方法，方法包括：

在基板上依次沉积阳极、量子点发光层和电子传输层；

采用低表面能材料对所述电子传输层修饰，以在所述电子传输层上形成低表面能薄膜；

在所述低表面能薄膜上沉积阴极。

在一实施例中，所述采用低表面能材料对所述电子传输层修饰的步骤包括：

将盛有低表面能材料的容器和所述基板放入真空装置中进行低压干燥处理；

对所述基板进行常压干燥处理。

在一实施例中，所述低压干燥处理的气压为500Pa～20000Pa，时间为30min～60min。

在一实施例中，所述对所述基板进行常压干燥处理的步骤包括：

将所述基板放入烘箱中进行烘烤，烘烤温度为70℃～90℃，烘烤时间为20min～40min。

再者，本发明还提供一种显示装置，包括上述所述的QLED器件或由上述所述的方法制备的QLED器件。