[发明专利]集成电路失效率获取方法

说明书

本申请涉及一种集成电路失效率获取方法，包括：确定集成电路的至少一种本征失效机制；根据至少一种本征失效机制，在待测样品上形成与各本征失效机制相应的测试结构；根据至少一种本征失效机制，确定与各本征失效机制相应的试验方案，试验方案包括多组不同的应力条件；根据试验方案，对多个待测样品上的相应测试结构进行寿命测试试验；根据寿命测试试验，获取与各本征失效机制相应的失效物理模型；根据与各本征失效机制相应的失效物理模型，获取集成电路的失效率。本申请能够有效降低获取集成电路失效率的成本有效提高获取的集成电路失效率的准确性。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种集成电路失效率获取方法。

背景技术

集成电路的失效率常基于JESD85“Methods for Calculating failure Rates inUnits of FITs”进行计算，并通过高温试验获取计算数据。试验中，激活能取0.7eV，在高温下(135℃)通过77只样品1000小时的寿命测试试验。根据试验过程中的失效样品数，利用开平方的数学方法计算得出产品在工作条件下的失效率数据。

同时，在工程应用上，常采用GJB/Z 299C-2006“电子设备可靠性预计手册”对电子元器件的失效率进行预计。对于单片集成电路，可靠性预计中分单片数字电路、单片模拟电路、微处理器、SRAM、DRAM、FIFO、CCD等，对于每一种电路，分别给出了相应的可靠性预计模型以进行工作条件下的失效率预计。

然而，高温试验需要在集成电路老化寿命试验系统中进行，该寿命试验系统为了对每只集成电路提供电连接和输出信号监测，需要制作高温老化试验板。对于不同的工艺产品，当封装形式不同时，需要制作新的老化板，越复杂的封装，加工制作高温老化试验板的费用越贵，花费的时间也更长。

GJB/Z 299C-2006电子设备可靠性预计手册，虽然在整机可靠性设计方案优选方面获得了一定的成功，但是它是一种根据历史数据统计得到的失效率数据，不能给出电子元器件的准确失效率，有时会和实际情况产生很大的差异。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低成本且提高准确性的集成电路失效率获取方法。

一种集成电路失效率获取方法，其特征在于，包括：

确定所述集成电路的至少一种本征失效机制；

根据所述至少一种本征失效机制，在待测样品上形成与各所述本征失效机制相应的测试结构；

根据所述至少一种本征失效机制，确定与各所述本征失效机制相应的试验方案，所述试验方案包括多组不同的应力条件；

根据所述试验方案，对多个待测样品上的相应所述测试结构进行寿命测试试验；

根据所述寿命测试试验，获取与各所述本征失效机制相应的失效物理模型；

根据所述与各所述本征失效机制相应的失效物理模型，获取所述集成电路的失效率。

在其中一个实施例中，所述确定所述集成电路的至少一种本征失效机制，包括：

确定所述集成电路的多种本征失效机制；

所述根据所述与各所述本征失效机制相应的失效物理模型，获取所述集成电路的失效率，包括：

根据所述失效物理模型，获取各所述本征失效机制下的失效率；

根据各所述本征失效机制下的失效率，获取所述集成电路的失效率。

在其中一个实施例中，所述试验方案包括多组不同的应力条件。

在其中一个实施例中，所述根据所述寿命测试试验，获取与各所述本征失效机制相应的失效物理模型，包括：