[发明专利]提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构及其清洗方法

说明书

本发明涉及一种提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构及其清洗方法，所属炉芯管清洗设备技术领域，包括清洗槽，所述的清洗槽下部设有与清洗槽呈一体化焊接的清洗槽底板，所述的清洗槽内设有炉芯管，所述的炉芯管与清洗槽底板间设有升降气缸架，所述的升降气缸架与炉芯管间设有右升降气缸和左升降气缸，所述的右升降气缸与炉芯管间、左升降气缸与炉芯管间均设有托板，所述的清洗槽底板下端设有与清洗槽底板通过连通的排液管，所述的排液管上设有与排液管通过管路连通的总阀。具有结构简单、操作便捷、运行稳定性好和节能减排的特点。解决了干燥不彻底的问题。

技术领域

本发明涉及炉芯管清洗设备技术领域，具体涉及一种提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构及其清洗方法。

背景技术

在半导体晶圆生产加工中，LPCVD是目前常见的多晶硅成膜技术之一。它的基本原理是利用四氢化硅在高温下发生分解，生成多晶硅沉积在晶圆表面。在晶圆表面沉积薄膜的同时，炉芯管和碳化硅舟上面也沉积了一层薄膜。一段时间后，需将炉芯管和碳化硅舟拆卸下来清洗，去除表面沉积的薄膜。

现有技术首先将炉芯管放置在部品清洗机清洗槽内，然后进行清洗和干燥，但清洗过程存在消耗浪费大和干燥效果差的缺陷。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在消耗浪费大和干燥效果差的不足，提供了一种提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构及其清洗方法，其具有结构简单、操作便捷、运行稳定性好和节能减排的特点。解决了干燥不彻底的问题。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构，包括清洗槽，所述的清洗槽下部设有与清洗槽呈一体化焊接的清洗槽底板，所述的清洗槽内设有炉芯管，所述的炉芯管与清洗槽底板间设有升降气缸架，所述的升降气缸架与炉芯管间设有右升降气缸和左升降气缸，所述的右升降气缸与炉芯管间、左升降气缸与炉芯管间均设有托板，所述的清洗槽底板下端设有与清洗槽底板通过连通的排液管，所述的排液管上设有与排液管通过管路连通的总阀。

作为优选，所述的炉芯管一侧设有左顶气缸，所述的左顶气缸与炉芯管间设有与炉芯管通过活动式压接的外凸圆弧顶块，所述的左顶气缸与清洗槽间设有与左顶气缸通过插嵌式连接固定的轴承座，所述的炉芯管另一侧设有与清洗槽通过轴承式密封套接的右顶气缸，所述的右顶气缸与炉芯管间设有与炉芯管通过活动式压接的内凹圆弧顶块，所述的清洗槽外侧设有与右顶气缸通过平键式插嵌连接的旋转电机。

作为优选，所述的排液管下端设有与排液管通过连通的集液箱，所述的集液箱与清洗槽间设有注液管，所述的注液管上设有与注液管通过管路连通的循环泵。

作为优选，所述的总阀与集液箱间设有与排液管通过连通的排液阀，所述的排液阀与总阀间设有与排液管通过连通的排水管，所述的排水管上设有与排水管通过管路连通的排水阀。

作为优选，所述的清洗槽上方设有上支架，所述的上支架上端设有气液总管，所述的气液总管与炉芯管间设有若干气液喷头，所述的气液喷头与气液总管间设有分流管。

作为优选，所述的上支架与气液总管间设有横移气缸，所述的横移气缸与上支架间设有与横移气缸通过活动式插嵌连接的导轨。

作为优选，所述的清洗槽底板的倾斜角度为0度～30度。

作为优选，所述的提高LPCVD部品洗净能力的清洗机结构的清洗方法，包括如下操作步骤：

第一步：先将炉芯管放置到右升降气缸和左升降气缸上的托板上，接着右升降气缸和左升降气缸同步带动炉芯管下降至右顶气缸、左顶气缸同轴心位置，然后右顶气缸推动内凹圆弧顶块，左顶气缸推动外凸圆弧顶块，实现对炉芯管的夹紧过程。