[发明专利]应用于管式PECVD沉积设备的处理方法

权利要求书

1.一种应用于管式PECVD沉积设备的处理方法，其特征在于：

所述管式PECVD沉积设备包括传输装置、翻转驱动装置、设置有沉积控制装置的管式沉积腔体以及设置有清洗控制装置的管式清洗腔体；

通过所述传输设备带动载具进出所述管式沉积腔体或所述管式清洗腔体，所述载具为待清洗载具或装载有基板的载具；

通过所述翻转驱动装置驱动所述装载有基板的载具进行翻转运动以使所述基板相对的两个待镀表面的任意一个处于待镀状态；

通过所述沉积控制装置在所述基板相对的两个待镀表面形成减反射膜，以完成沉积处理；

通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度和压力，以及向所述管式清洗腔体通入的清洗气体的流量，以进行所述化学气相清洗处理。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为200-600摄氏度，压力为0.1-67千帕，所述清洗气体的流量为2-50标准升/分钟。

4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述化学气相清洗处理的时长不超过3小时。

5.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述清洗气体为HF、F₂、Cl₂和ClF₃中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置，通过所述管式清洗腔体进行所述化学气相清洗处理、等离子体化学气相清洗处理和所述沉积处理中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度和压力，以及向所述管式清洗腔体通入的清洗气体的流量，通过所述等离子体发生装置使所述清洗气体转化为等离子体，以进行所述等离子体化学气相清洗处理。

9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为300-600摄氏度，压力为0.1-0.6千帕，所述清洗气体的流量为2-50标准升/分钟，通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10-40千瓦。

10.根据权利要求9所述的处理方法，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述等离子体化学气相清洗处理的时长不超过3小时。

11.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述清洗气体的元素组成包含碳元素、氮元素和氟元素中的至少两种。

12.根据权利要求11所述的处理方法，其特征在于，所述清洗气体为NF₃、SF₆、CF₄、CHF₃和C₂F₆中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的处理方法，其特征在于，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。

14.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述管式清洗腔体还设置有所述翻转驱动装置，通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行所述翻转运动。