[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011593301.1 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112701188A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0224;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/28;C23C14/26 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种近红外光电探测器，其特征在于：包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。
2.根据权利要求1所述的一种近红外光电探测器，其特征在于：所述的n型InP基片上蒸镀的电极为金属铜电极。
3.根据权利要求1所述的一种近红外光电探测器，其特征在于：所述的硫化银薄膜材料上蒸镀的电极为金属铟或银电极。
4.根据权利要求1所述的一种近红外光电探测器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
步骤(1).通过蒸镀法在n-InP基片表面蒸镀金属银薄膜；
通过蒸镀方法，以p-Si为基底，在基底表面沉积厚度为20-100nm厚度银薄膜，形成n-InP/Ag薄膜叠层结构；
步骤(2).金属银薄膜硫化生成硫化银薄膜，制备成n-InP/Ag2S薄膜叠层结构；
硫化方法在管式炉中进行，竖直放置的石英管式电炉，在电炉中间放置硫源，硫源垂直上方放置n-InP/Ag薄膜，Ag薄膜面向硫源，在惰性气体氩气保护下，加热硫源至120-250℃，保温24-48小时，获得n-InP/Ag2S层叠结构；
步骤(3).蒸镀电极，获得电极/n-InP/Ag2S/电极层叠结构；
采用热蒸镀法，通过模板，在Ag2S薄膜表面蒸镀金属铟或银电极；在n-InP表面蒸镀金属铜电极；金属电极厚度50-300nm。
5.根据权利要求4所述的一种近红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述的蒸镀方法为电子束热蒸发金属银源、激光脉冲沉积法通过激光束蒸发金属银源或金属丝热蒸镀法蒸发金属银源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
