[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种近红外光电探测器及其制备方法，本发明一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。本发明制备的近红外光光电探测器，无需外延生长设备，具有成本低的优点。

技术领域

本发明属于器件制备领域，具体涉及磷化铟(InP)、硫化银(Ag2S)作为光电转换材料的近红外光光电探测器。

背景技术

光电探测器件是能将入射光信号转变成电信号的器件。可探测不同波长的光辐射，用于成像、工业自动化控制、移动物体的跟踪和控制等领域。

InP是III-IV族化合物半导体材料，载流子迁移率高，光吸收性能好。InP与硫化银的禁带宽度在近红外光区域，两者具有好的光电性能，结合后可制备成近红外光电探测器，且器件结构简单，无需低温冷却系统。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提出了一种近红外光电探测器及其制备方法。

一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。

一种近红外光电探测器的制备方法，该方法具体包括以下步骤：

步骤(1).通过蒸镀法在n-InP基片表面蒸镀金属银薄膜；

通过蒸镀方法，以p-Si为基底，在基底表面沉积厚度为20-100nm厚度银薄膜，形成n-InP/Ag薄膜叠层结构；

步骤(2).金属银薄膜硫化生成硫化银薄膜，制备成n-InP/Ag₂S薄膜叠层结构；

硫化方法在管式炉中进行，竖直放置的石英管式电炉，在电炉中间放置硫源，硫源垂直上方放置n-InP/Ag薄膜，Ag薄膜面向硫源，在惰性气体氩气保护下，加热硫源至120-250℃，保温24-48小时，获得n-InP/Ag₂S层叠结构；

步骤(3).蒸镀电极，获得电极/n-InP/Ag₂S/电极层叠结构；

采用热蒸镀法，通过模板，在Ag₂S薄膜表面蒸镀金属铟或银电极；在n-InP表面蒸镀金属铜电极；金属电极厚度50-300nm。

作为优选，所述的蒸镀方法为电子束热蒸发金属银源、激光脉冲沉积法通过激光束蒸发金属银源或金属丝热蒸镀法蒸发金属银源。

本发明相对现有技术具有的效果：本发明制备的近红外光光电探测器，无需外延生长设备，具有成本低的优点。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料2、n型InP基片3和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片3上蒸镀金属铜电极4，硫化银薄膜材料上蒸镀金属铟或银电极1。

实施例一：一种近红外光电探测器的制备方法，该方法具体包括以下步骤：

步骤(1).通过蒸镀法在n-InP基片表面蒸镀金属银薄膜；

通过蒸镀方法，通过电子束热蒸发金属银源，以p-Si为基底，在基底表面沉积厚度为20nm厚度银薄膜，形成n-InP/Ag薄膜叠层结构；

步骤(2).金属银薄膜硫化生成硫化银薄膜，制备成n-InP/Ag₂S薄膜叠层结构；