[发明专利]清除极片活性物质的方法

说明书

本发明提出一种清除极片活性物质的方法，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层，能有效减小光压，减小集流体损伤，提升清除精度和形成预留层的精度。再通过物理清除法清除预留层以露出极片在预清除区域的集流体，进一步减小集流体损伤，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及电池领域，具体涉及一种清除极片活性物质的方法。

背景技术

在制备锂离子电池时，其制造工艺一般流程为：活性物质、粘结剂和导电剂等混合制备成活性物质浆料，然后将该浆料涂敷在铜材质或铝材质的集流体上，涂敷在集流体两面的活性物质浆料干燥之后，通过辊压压实活性物质层。极耳作为电芯的正负极引出件，需要和集流体接触，因此需要在极片上连接极耳的位置将活性物质层去除形成凹槽，然后将集流体露出来，便于极耳的设置以及和集流体接触。该凹槽用于容纳极耳，极耳是从电芯中将正负极引出来的金属导电体，对于焊接极耳来说，用于容纳极耳的凹槽是必不可少的。

目前，开设凹槽的方法主要包括发泡胶清除和激光清除。

发泡胶清除的方案为：在集流体涂覆活性物质之前，在极片预焊接极耳的位置设置发泡胶，然后通过在集流体及发泡胶上涂覆活性物质，通过将发泡胶及其上的活性物质去除，则在预焊接极耳的位置处形成凹槽。然而该方法需要用到发泡胶，发泡胶作为耗材，成本较高；另外，采用发泡胶形成的凹槽的公差也比较大。

激光清除的方案为：集流体涂覆活性物质形成极片后，通过激光照射在极片预焊接极耳的位置，去除该位置的活性物质形成凹槽。然而该激光清除活性物质的同时难免对集流体造成损伤，使得集流体氧化变脆。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种减小集流体受到损伤的清除极片活性物质的方法。

本发明提出一种清除极片活性物质的方法，包括：

通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层；

通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体。

在一实施例中，所述通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层包括：

在每次激光对所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层作薄前，获取所述活性物质层的剩余厚度 ；

根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度，所述预定规则为：若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1；若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3=T2-T1；其中，T1为所述预定厚度，T2为所述剩余厚度，T3为清除厚度；

根据所述清除厚度清除活性物质。

在一实施例中，所述根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度包括：

所述清除厚度与所述活性物质层的剩余厚度正相关。

在一实施例中，所述根据所述清除厚度清除活性物质之后，还包括：

对所述预清除区域除尘。

在一实施例中，所述对所述极片除尘包括：

通过吸除法或者吹除法对所述预清除区域除尘。

在一实施例中，所述获取所述活性物质层的剩余厚度和预定厚度包括：

根据所述极片在所述预清除区域的灰度值估算所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层的剩余厚度。

在一实施例中，所述预定厚度为15μm-25μm。

在一实施例中，所述通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体包括：