[发明专利]等离子体刻蚀设备在审
| 申请号： | 202011596795.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695045A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;王奕善;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 | ||
1.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括：
真空反应腔，其内部设置有用于承载基片的基座组件；
气体供应装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；
接地环，其位于所述真空反应腔的侧壁和基座组件之间；
导电支撑杆，与所述基座组件的底部固定连接，用于使所述基座组件沿导电支撑杆轴向运动；
可伸缩密封部，其设置在所述基座组件和真空反应腔的底壁之间；
阻抗调节装置，其位于所述接地环上，用于调节接地环的阻抗。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可伸缩密封部连接所述基座组件和真空反应腔的底壁。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可伸缩密封部连接所述基座组件和所述接地环。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述基座组件包括静电吸盘以及设置在所述静电吸盘外侧的绝缘环，所述可伸缩密封部与所述绝缘环固定连接。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述基座组件包括静电吸盘、设置在所述静电吸盘外侧的绝缘环以及设置所述绝缘环外侧的导电环，所述可伸缩密封部与所述导电环固定连接；所述导电环通过导电条与所述真空反应腔的底壁或所述接地环连接。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述接地环与所述基座之间具有空隙，所述空隙上方设置有气体遮挡环。
7.如权利要求1-6所述的设备，其特征在于，所述阻抗调节装置包括若干个可调电容。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述接地环上具有开口，所述阻抗调节装置通过导电带与所述开口连接。
9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述导电带经阳极氧化处理。
10.如权利要求8所述的设备，其特征在于，在所述接地环的开口处具有隔绝环，用于防止等离子体通过开口腐蚀导电带。
11.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述阻抗调节装置沿着接地环的周向均匀分布。
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