[发明专利]等离子体刻蚀设备

说明书

本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置阻抗调节装置，调节射频回路的阻抗，从而使得当上下电极间距调整时能够相应地调节整个射频回路的阻抗，以维持射频回路的稳定性，获得期望的刻蚀效果。此外，阻抗调节装置可沿着接地环周向均匀分布，实现局部调节效果，解决刻蚀中出现的偏边问题。

技术领域

本发明涉及半导体处理设备的技术领域，尤其涉及等离子体刻蚀设备。

背景技术

对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。

随着刻蚀设备的更新换代，反应室内部的结构设计也日益复杂。例如，对于电容耦合等离子体处理设备，随着加工工艺的要求不断提高，需要在不同的上下极板间距下完成不同的刻蚀步骤。然而，当下电极移动时，由于该电极作为射频回路的一部分，会导致射频信号的不稳定以及整个射频回路阻抗的变化，从而影响基片刻蚀的效果。因此，需要一种既要实现极板间距的可调同时又能调节射频回路的阻抗的方案。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种等离子刻蚀设备，包括

真空反应腔，其内部设置有用于承载基片的基座组件；

气体供应装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；

接地环，其位于所述真空反应腔的侧壁和基座组件之间；

导电支撑杆，与所述基座组件的底部固定连接，用于使所述基座组件沿导电支撑杆轴向运动；

可伸缩密封部，其设置在所述基座组件和真空反应腔的底壁之间；

阻抗调节装置，其位于所述接地环上，用于调节接地环的阻抗。

可选的，所述可伸缩密封部连接所述基座组件和真空反应腔的底壁。

可选的，所述可伸缩密封部连接所述基座组件和所述接地环。

可选的，所述基座组件包括静电吸盘以及设置在所述静电吸盘外侧的绝缘环，所述可伸缩密封部与所述绝缘环固定连接。

可选的，所述所述基座组件包括静电吸盘、设置在所述静电吸盘外侧的绝缘环以及设置所述绝缘环外侧的导电环，所述可伸缩密封部与所述导电环固定连接；所述导电环通过导电条与所述真空反应腔的底壁或所述接地环连接。

可选的，所述接地环与所述基座之间具有空隙，所述空隙上方设置有气体遮挡环

可选的，所述阻抗调节装置包括若干个可调电容。

可选的，所述接地环上具有开口，所述阻抗调节装置通过导电带与所述开口连接。

可选的，所述导电带经阳极氧化处理。

可选的，在所述接地环的开口处具有隔绝环，用于防止等离子体通过开口腐蚀导电带。

可选的，所述阻抗调节装置沿着接地环的周向均匀分布。

本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置阻抗调节装置，调节射频回路的阻抗，从而使得当上下电极间距调整时能够相应地调节整个射频回路的阻抗，以维持射频回路的稳定性，获得期望的刻蚀效果。此外，阻抗调节装置可沿着接地环周向均匀分布，实现局部调节效果，解决刻蚀中出现的偏边问题。

附图说明