[发明专利]一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法

权利要求书

1.一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其步骤：

1）将取向硅钢样品加工成俄歇电子能谱仪标准试样；

2）对加工成的标准试样进行表面清理，即使用酒精浸没试样并进行超声波清洗，清洗时间控制在10～20min；后用去离子水冲洗并吹干；

3）进行充氢

将标准试样所设定的预设断口处放入充氢装置的含硫脲溶液中，并使取向硅钢样品为阴极；将铂片置入并作为阳极；阴极充氢电流为1.25～1.35A，充氢电流密度在0.1～0.8A/m²，充氢时间在12～50h，充氢电压为36～39V；

4）进行压断

充氢后的标准试样经酒精超声波再次清洗；后夹持静置25～40min；

进行表面分析

采用表面分析装置在真空度为2.7×10^-7～10^-8Pa环境下，在预设断口处进行不低于2次初压后再一次性压断，即得到沿晶断口；初压量每次在0.01～0.04mm，每次初压时间间隔在1～4min。

2.如权利要求1所述的一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其特征在于：所述含硫脲

混合溶液的组分及重量百分比含量为：在盐酸浓度为7～9%的盐酸蒸馏水溶液中按照0.6～0.8g/升盐酸蒸馏水溶液加入硫脲。

3.如权利要求1所述的一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其特征在于：充氢时间在21～46h。

4.如权利要求1所述的一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其特征在于：充氢电流密度在0.3～0.6A/m²。

5.根据权利要求4所述的一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其特征在于: 预设断口处初压次数在4～6次。