[发明专利]一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法

说明书

一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法：将取向硅钢样品加工成俄歇电子能谱仪标准试样；对标准试样进行表面清理；充氢：将标准试样所设定的预设断口处放入充氢装置的含硫脲溶液中，并使取向硅钢样品为阴极；将铂片置入并作为阳极；阴极充氢电流为1.25～1.35A，充氢电流密度在0.1～0.8A/m²，充氢时间在12～50h，充氢电压为36～39V；进行表面分析。本发明不仅工艺简单，便于操作，用时短，所用毒化剂是硫脲，从而避免了采用剧毒的三氧化二砷作为毒化剂，对人体健康有极大威胁的问题，且所获得的取向硅钢断口均为典型沿晶断口，适用于取向硅钢晶界偏聚行为以及晶界微区成分分析。

技术领域

本发明涉及钢铁材料分析试样的制备方法，具体涉及一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法。

背景技术

取向硅钢中的晶界偏聚问题一直受到材料科学工作者的普遍关注，主要是由于一些元素Sn、Sb和Bi等容易富集在晶界处，阻碍晶界的迁移和晶粒的长大，从而能提高取向硅钢中抑制剂的强度以及促进二次再结晶发展，但相关机理需要更深入的研究。通常可以利用俄歇电子能谱仪等表面分析装置对晶界偏聚行为以及晶界微区成分进行分析，然而这需要获得清洁的沿晶断口。对于一般钢铁材料可以通过低温断裂得到沿晶断口，但对于取向硅钢而言，由于硅能降低钢的解理断裂强度，在通常的情况下不易发生沿晶断裂，并且使用现有技术制备沿晶断口，容易造成表面污染，对取向硅钢的晶界偏聚行为的研究以及晶界成分分析结果产生影响，从而难以得出准确晶界成分和晶界偏聚行为的分析。

本技术领域的技术人员为了解决所存在的问题，提出采用两次脱碳的方法，如冶金部钢研院赵宇等发表的《一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法》文献。其虽得到以沿晶为主的断口，但得到的断口质量并不理想，且样品制备过程相对繁琐。

由哈尔滨工业大学李光福等1989年发表在理化检验.物理分册的《一种获得清洁沿晶断口的方法》文献，其虽得到以沿晶断口为主的断口形貌，但在制备过程所使用电解液为硫酸，不仅不环保，且充氢时间短，因为充氢时间相对较长，会使试样断裂时有足够的氢含量。

中国专利申请号为CN201611247831.4的文献，公开了《一种在奥氏体钢中获得沿晶断口的方法及其应用》，该文献对奥氏体钢试样进行阴极充氢，然后在真空环境下压断预设断口得到沿晶断口。其虽得到以沿晶断口为主的断口形貌，但制备过程相对繁琐，且工艺复杂并耗时长；再真空度要求不明确，这会使试样在进入俄歇能谱分析装置后有一段抽真空时间，而在超高真空环境中氢的逸出速度快，会无法保证试样断裂时具有足够的氢含量。

在现有技术中，预设断口所采用的浸泡溶液多将三氧化二砷作为毒化剂。三氧化二砷作为一种剧毒物质，对人体健康有极大威胁，主要影响神经系统和毛细血管通透性，对皮肤和粘膜有刺激作用。使用不当会出现慢性中毒或急性中毒等事故。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术存在的不足，提供一种获得取向硅钢沿晶断口方法简单易行，预设端口浸泡溶液环保，对人体无害的获得沿晶断口的方法。

实现上述目的的措施：

一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法，其步骤：

1)将取向硅钢样品加工成俄歇电子能谱仪标准试样；

2)对加工成的标准试样进行表面清理，即使用酒精浸没试样并进行超声波清洗，清洗时间控制在10～20min；后用去离子水冲洗并吹干；

3)进行充氢

将标准试样所设定的预设断口处放入充氢装置的含硫脲溶液中，并使取向硅钢样品为阴极；将铂片置入并作为阳极；阴极充氢电流为1.25～1.35A，充氢电流密度在0.1～0.8A/m²，充氢时间在12～50h，充氢电压为36～39V；

4)进行压断

充氢后的标准试样经酒精超声波再次清洗；后夹持静置25～40min；