[发明专利]一种温度检测方法和温度传感装置有效
申请号: | 202011599301.2 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112747830B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 吴启明;马鑫;林晓志;王添平 | 申请(专利权)人: | 广东高云半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01;G01K13/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 吴晓霞;李丹 |
地址: | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 检测 方法 传感 装置 | ||
1.一种温度检测方法,其特征在于,包括:
根据第一电流源产生第一差分电压,根据第二电流源产生第二差分电压;
根据所述第一差分电压V(vbep,vben)、所述第二差分电压V(dvbep,dvben)和预设的第一增益系数kvbg,确定第一电压对应的反馈信号Kadc,使其平均值
根据所述第一电压对应的反馈信号的平均值确定温度的数字化值,包括:
根据预设的截止频率,对所述第一电压对应的反馈信号进行低通滤波,得到多比特的滤波数据;其中,所述多比特的滤波数据为所述第一电压的平均值表征;
对所述滤波数据按照预设的温度检测增益进行放大,并与预设的温度检测偏移量相加后,确定所述温度的数字化值;
其中,所述第一电压V为kvbg*V(dvbep,dvben),是与所述温度成正比的电压;
所述第一差分电压V(vbep,vben)、所述第二差分电压V(dvbep,dvben)和预设的第一增益系数kvbg满足以下带隙基准电压关系:
带隙基准电压Vbg=V(vbep,vben)+kvbg*V(dvbep,dvben);
其中,所述带隙基准电压Vbg为与半导体材料相关的常数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一电压对应的反馈信号的平均值
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述根据第一电流源产生第一差分电压,包括:
根据所述第一电流源和第一晶体管产生所述第一差分电压
其中,IC为第一晶体管集电极电流,IS是第一晶体管反向饱和电流。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述根据第二电流源产生第二差分电压,包括:
根据所述第二电流源和第二晶体管、第三晶体管产生所述第二差分电压
其中,K为波尔兹曼常数,T为绝对温度,q为单位电子电荷;IS1,IS0分别为第三晶体管和第二晶体管的反向饱和电流;IE1和IE0分别为第三晶体管和第二晶体管的发射极电流。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
所述第二晶体管和所述第三晶体管具有相同规格;
所述第二电流源为M支大小相同的第二电流源;其中,根据预设的时钟关系,M支电流中的P支电流流过所述第二晶体管,剩余M-P支电流流过所述第三晶体管;
所述根据第二电流源产生第二差分电压,包括:
根据所述预设的时钟关系,将所述M-P支电流流过所述第三晶体管产生的电压差确定为所述第二差分电压的正端电压;根据所述预设的时钟关系,将所述P支电流流过所述第二晶体管产生的电压差确定为所述第二差分电压的负端电压,得到所述第二差分电压
其中,M≥2,P≥1,M>P。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述根据所述第一差分电压、所述第二差分电压和预设的第一增益系数,确定第一电压对应的反馈信号,包括:
根据所述第一差分电压、所述第二差分电压和所述第一增益系数确定第一瞬态电压;
根据时钟信号,对所述第一瞬态电压进行累加求和,将求和后的结果与预设的差分电压基准进行比较,得到所述反馈信号。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述时钟信号为多相非交叠时钟信号;
所述时钟信号分为两组,其中1~n相时钟为一组,该组时钟中每后一相时钟比其前一相时钟的上升沿延迟第一预设延迟时间;第n+1~2n相时钟为一组,该组时钟中每后一相时钟比其前一相时钟的上升沿延迟第一预设延迟时间;
第二组时钟的第一相时钟的上升沿比第一组时钟最后一相时钟的下降沿延迟第一预设延迟时间;第一组时钟的第一相时钟的上升沿比第二组时钟最后一相时钟的下降沿延迟第一预设延迟时间。
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