[发明专利]一种温度检测方法和温度传感装置

说明书

本文公开了一种温度检测方法和温度传感装置。其中，所述方法包括，根据第一电流源产生第一差分电压，根据第二电流源产生第二差分电压；根据所述第一差分电压、所述第二差分电压和预设的第一增益系数，确定第一电压对应的反馈信号Kadc，使其平均值Kadc_va满足预设的反馈关系；根据所述第一电压对应的反馈信号的平均值确定温度的数字化值；其中，所述第一电压是与温度成正比的电压；所述第一差分电压、所述第二差分电压、预设的第一增益系数和带隙基准电压满足预设的带隙基准电压关系。本公开实施例提供的方案，产生了表征第一电压平均值的反馈信号平均值，进一步确定了温度的数字化值。

技术领域

本公开涉及但不限于传感器领域，特别地涉及一种温度检测方法和温度传感装置。

背景技术

随着芯片制程的进步，芯片朝着更小尺寸和更低电源电压的方向发展。芯片的热效应影响逐渐被提上研究日程。为了避免芯片过热，以免对芯片的性能带来负面影响，需要芯片内部集成温度传感器，以便实时监控芯片温度。

目前在芯片内部集成温度传感器主要有以下方式：

一是采用热敏电阻的方式来实现，虽然这种方式比较通用，但是其精度有限。

二是通过带隙基准电路产生电压基准，并以此通过模数转换器(Analog-to-DigitalConverter，简称为ADC，或称为A/D转换器)量化一个表征温度的电压，比如双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，简称为BJT)的基极B与发射极E之间的结电压VBE，通过电压和温度的对应关系达到温度检测的目的。这种方式具有以下缺陷：(1)会因带隙基准电路等的设置而增加成本，且消耗较多的芯片面积，并带来较大的电源功耗；(2)因为带隙基准电路的制造随机偏差，会使得温度传感器产生较大的误差，精度低，因此，对于某些高精度的应用，芯片还需要进一步额外配备一个芯片外的参考电压源，由此会额外增加成本。

针对以上问题，有待提出新的解决方案。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种温度检测方法和温度传感装置，能够避免带隙基准电路和片外参考电压源的使用，以降低成本和功耗。

本公开实施例提供一种温度检测方法，包括：

根据第一电流源产生第一差分电压，根据第二电流源产生第二差分电压；

根据所述第一差分电压V(vbep，vben)、所述第二差分电压V(dvbep，dvben)和预设的第一增益系数kvbg，确定第一电压对应的反馈信号Kadc，使其平均值

根据所述第一电压对应的反馈信号的平均值确定温度的数字化值；

其中，所述第一电压V为kvbg*V(dvbep，dvben)，是与所述温度成正比的电压；

所述第一差分电压V(vbep，vben)、所述第二差分电压V(dvbep，dvben)和预设的第一增益系数kvbg满足以下带隙基准电压关系：

带隙基准电压Vbg＝V(vbep，vben)+kvbg*V(dvbep，dvben)。

本公开实施例还提供一种温度传感装置，包括：

差分电压产生模块，设置为：根据第一电流源产生第一差分电压，根据第二电流源产生第二差分电压；

第一反馈模块，设置为：根据所述第一差分电压V(vbep，vben)、所述第二差分电压V(dvbep，dvben)和预设的第一增益系数kvbg，确定第一电压对应的反馈信号Kadc，使得反馈信号Kadc的平均值Kadc_va满足以下反馈关系：