[发明专利]自加热效应参数的提取装置以及提取方法

权利要求书

1.一种自加热效应参数的提取装置，其特征在于，包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；

多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；

每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述环形振荡器的背栅或体区的引出是NMOS以及PMOS中的一个或两者都引出。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容选自于可调电容、集成电容、以及外部电容中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，输出端通过一分频器引出。

5.一种自加热效应参数的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供权利要求1所述的自加热效应参数的提取装置；

执行多次不同振荡频率下的测量；

对振荡频率最低的环形振荡器的等效电阻数据进行参数提取，作为自加热效应参数中的电阻值参数；

对振荡频率最高的环形振荡器的等效电容数据进行参数提取，作为自加热效应参数中的电容值参数；

改变所述自加热效应参数的提取装置中环形振荡器中晶体管的沟道宽度，通过对不同沟道宽度的器件进行参数提取，获取自加热效应参数中的热阻与沟道宽度关系参数。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述环形振荡器的背栅或体区的引出是NMOS以及PMOS中的一个或两者都引出。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电容选自于可调电容、集成电容、以及外部电容中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，输出端通过一分频器引出，用以降低测试用的信号频率，便于测量。