[发明专利]一种高比电容电容器阴极用铝箔及其制备工艺

说明书

本发明涉及一种高比电容电容器阴极用铝箔及其制备工艺，该铝箔中各原料的重量百分比如下：Si 0.1~0.3％，Fe 0.1~0.3％，Cu 0.4~0.6％，Mn 0.5％，Mg 0.05％，Zn 0.07％，Ti 0.03％，余量为Al；该铝箔的制备工艺包括熔铸、热轧、冷轧、均匀化退火、箔轧五个步骤。本发明制得的铝箔比电容高，厚度为0.022mm的铝箔的比电容为170‑180μF/cm²、厚度为0.048mm的铝箔的比电容为600μF/cm²，且纯度高、耐高温，使用寿命长，表面美观、细腻，制备工艺简单，路线成熟，具有广泛的工业应用前景。

技术领域

本发明属于电容器生产技术领域，特别是涉及一种高比电容电容器阴极用铝箔及其制备工艺。

背景技术

电容器是一种容纳电荷的器件，由两个相互靠近的导体在中间夹一层不导电的绝缘介质构成。通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制等方面。其中，铝电解电容器由于价格低廉、比电容量高而在各种电子设备中广泛应用。铝电解电容器一般是由阳极铝箔、电解纸、阴极铝箔、电解纸等4层重迭卷绕而成。铝电解电容器的结构决定了其电容实际上由阳极铝箔电容和阴极铝箔电容串联而成，阴极铝箔的电容量对铝电解电容器的电容量具有很大的影响。

目前，现有技术中常用的电容器阴极用铝箔不仅制备工艺复杂，所需设备昂贵，制备成本高，纯度低，而且比电容低，厚度为0.022mm的铝箔的比电容为90-120μF/cm²、厚度为0.044mm的铝箔的比电容为300-400μF/cm²，且不耐高温，使用寿命短。因此，急需研发出一种高比电容电容器阴极用铝箔来满足使用需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种高比电容电容器阴极用铝箔及其制备工艺，以解决现有技术中的电容器阴极用铝箔存在制备工艺复杂、比电容低、不耐高温、使用寿命短的技术问题。

本发明提供一种高比电容电容器阴极用铝箔，该铝箔中各原料的重量百分比如下：Si 0.1~0.3％，Fe 0.1~0.3％，Cu 0.4~0.6％，Mn 0.5％，Mg 0.05％，Zn 0.07％，Ti0.03％，余量为Al。

优选地，该铝箔中各原料的重量百分比如下：Si 0.2％，Fe 0.2％，Cu 0.5％，Mn0.5％，Mg 0.05％，Zn 0.07％，Ti 0.03％，余量为Al。

本发明还提供了一种高比电容电容器阴极用铝箔的制备工艺，包括以下步骤：

步骤（1）熔铸：按重量百分比称取各个原料并混合，先经过熔炼得到熔体，熔体再经过浇铸形成铸锭；

步骤（2）热轧：将步骤（1）得到的铸锭在500℃～550℃温度范围内进行热轧开轧，热轧终了温度控制在250℃～400℃，热轧道次为20～30道，制得厚度为5mm～12mm的热轧卷材；

步骤（3）冷轧：按步骤（2）得到的热轧卷材经过6-10次冷轧，得到硬态铝箔；

步骤（4）均匀化退火：将步骤（3）得到的硬态铝箔在380℃～400℃温度下保温15-30h，升温时间为5～12h；

步骤（5）箔轧：将步骤（4）得到的铝箔进行箔轧，采用无辊缝轧制，轧制速度控制在800-1000m/min，开卷张力控制在40-60N/mm²，卷取张力为50-60N/mm²，制备得到的铝箔的尺寸为宽500mm，厚度为0.022-0.048mm。

优选地，所述步骤（1）中熔炼过程包括熔化、静置、精炼、除渣和除气，经除气后熔体的氢含量控制在0.10ml/100gAl以下。