[发明专利]一种超结MOSFET器件结构及制造方法

权利要求书

1.一种超结MOSFET器件结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底以及与所述第一导电类型衬底邻接的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的上表面形成半导体基板的第一主面，所述第一导电类型衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；在半导体基板的第一主面上设置若干器件元胞单元，所述器件元胞单元的尺寸为W；其特征在于：在所述第一导电类型外延层内设置若干由第一导电类型柱与第二导电类型柱呈阵列排布的超结阵列，且所述第一导电类型柱四周均与第二导电类型柱邻接，所述第二导电类型柱四周均与第一导电类型柱邻接，所述超结阵列内的第一导电类型柱、第二导电类型柱在第一导电类型外延层内从第一主面沿着第一主面指向第二主面的方向延伸；所述超结阵列中的第一导电类型柱包括第一第一导电类型柱n1、第二第一导电类型柱n2，第二导电类型柱包括第一第二导电类型柱p1、第二第二导电类型柱p2，所述第一第一导电类型柱n1、第二第一导电类型柱n2、第一第二导电类型柱p1、第二第二导电类型柱p2的宽度均为d，所述第一第一导电类型柱n1和第一第二导电类型柱p1的长度均为L1，所述第二第一导电类型柱n2和第二第二导电类型柱p2的长度均为L2，且L1L2，L1+L2＝W，2d≤W。

2.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET器件结构，其特征在于：还包括位于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区、位于第二导电类型体区内的第一导电类型源区、位于第一主面上的栅氧化层、位于栅氧化层上的栅极导电多晶硅；

所述超结阵列中的第一第一导电类型柱n1和第一第二导电类型柱p1均位于栅极导电多晶硅下方，第二第一导电类型柱n2和第二第二导电类型柱p2均位于第二导电类型体区下方，且每个第一第二导电类型柱p1和第二第二导电类型柱p2均与其上方的第二导电类型体区相接触。

3.根据权利要求2所述的一种超结MOSFET器件结构，其特征在于：还包括位于器件正面的源极金属、与所述源极金属分隔开的栅极金属、位于器件背面的漏极金属，所述源极金属分别与所述第二导电类型体区、第一导电类型源区欧姆接触，所述栅极金属与所述栅极导电多晶硅欧姆接触，所述漏极金属与所述半导体基板的第二主面欧姆接触；所述源极金属与所述栅极导电多晶之间通过绝缘介质层隔离。