[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202011605443.5 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN113066824A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 崔泰赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 赵嫦;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
制备基板,所述基板包括透射区域、围绕所述透射区域的显示区域以及在所述透射区域与所述显示区域之间的非显示区域;
在所述基板上提供多个绝缘层,并且形成通过所述多个绝缘层中的一些绝缘层的与所述非显示区域相对应的开口;
在与所述显示区域相对应的所述多个绝缘层上提供像素电极;
提供覆盖所述像素电极的保护层;
提供覆盖所述保护层以及所述开口的侧表面和底表面的掩模层;
去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的部分;
在所述去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的所述部分之后,通过去除所述开口的下层来形成槽;
去除所述掩模层;
去除所述保护层;以及
在所述像素电极上提供中间层,
其中,所述中间层包括有机材料层,并且
所述有机材料层延伸到所述非显示区域并且被所述槽断开。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层至少覆盖所述像素电极的布置有发射层的区域。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层包括有机材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层包括光致抗蚀剂。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层包括有机油墨。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,通过剥离工艺去除所述保护层。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩模层包括导电氧化物。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,通过湿蚀刻工艺去除所述掩模层的位于所述开口的所述底表面上的所述部分。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,通过湿蚀刻工艺去除所述掩模层。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,通过干蚀刻工艺去除所述开口的所述下层。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基板包括:
第一基底层;
在所述第一基底层上的第一阻挡层;
在所述第一阻挡层上的第二基底层;以及
在所述第二基底层上的第二阻挡层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述开口的所述下层包括所述第二基底层和所述第二阻挡层。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述开口的所述下层包括:
无机层;和
位于所述无机层下方的有机层。
14.一种显示装置,包括:
基板,所述基板包括透射区域、围绕所述透射区域的显示区域以及在所述透射区域与所述显示区域之间的非显示区域;
设置在所述基板上的多个绝缘层;
设置在所述多个绝缘层上与所述显示区域相对应的显示元件,其中,所述显示元件包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极与所述相对电极之间的中间层;
覆盖所述像素电极的边缘的像素限定层,其中,限定通过所述像素限定层的与所述像素电极的一部分相对应的开口;以及
设置在所述像素限定层的所述开口的内表面处的有机材料,
其中,在所述非显示区域中限定槽,
其中,所述中间层包括有机材料层,并且所述有机材料层延伸到所述非显示区域并且被所述槽断开,并且
所述槽被限定在包括下层和上层的多层中,并且选自所述下层和所述上层中的至少一个由构成所述基板的层中的至少一个来限定。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述有机材料包括光致抗蚀剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的