[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202011605443.5 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN113066824A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 崔泰赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 赵嫦;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置在显示区域中包括透射区域,并且在围绕透射区域的非显示区域中包括槽,并且可以使缺陷像素的发生最小化,因为槽形成工艺包括:在形成掩模层之前形成覆盖发射区域的保护层的工艺,以及在去除掩模层之后去除保护层的工艺。
技术领域
一个或多个实施方式涉及在显示区域内部包括透射区域的显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
近来,显示装置已经用于各种目的。此外,随着显示装置变得更薄和更轻便,这种显示装置被更广泛地用于各个领域。
随着显示装置中的显示区域所占据的面积已经扩大,在显示装置中已经添加了各种组合的或关联的功能。作为在扩大面积时添加各种功能的方案,已经对其中可以将各种部件布置在显示区域中的显示装置进行了研究。
发明内容
一个或多个实施方式包括:显示面板,该显示面板包括透射区域,各种类型的部件可以布置在透射区域中;以及包括显示面板的显示装置。
根据实施方式,制造显示装置的方法,该方法包括:制备基板,该基板包括透射区域、围绕透射区域的显示区域以及在透射区域与显示区域之间的非显示区域;在基板上提供多个绝缘层,并且形成通过多个绝缘层中的一些绝缘层的与非显示区域相对应的开口;在与显示区域相对应的多个绝缘层上提供像素电极;提供覆盖像素电极的保护层;提供覆盖保护层以及开口的侧表面和底表面的掩模层;去除掩模层的位于开口的底表面上的部分;在去除掩模层的在开口的底表面上的部分之后,通过去除开口的下层来形成槽;去除掩模层;去除保护层;以及在像素电极上提供中间层,其中,中间层包括有机材料层,并且有机材料层延伸到非显示区域并且被槽断开。
在实施方式中,保护层可以至少覆盖像素电极的布置有发射层的区域。
在实施方式中,保护层可以包括有机材料。
在实施方式中,保护层可以包括光致抗蚀剂。
在实施方式中,保护层可以包括有机油墨。
在实施方式中,通过剥离工艺可以去除保护层。
在实施方式中,掩模层可以包括导电氧化物。
在实施方式中,通过湿蚀刻工艺可以去除掩模层的位于开口的底表面上的部分。
在实施方式中,通过湿蚀刻工艺可以去除掩模层。
在实施方式中,通过干蚀刻工艺可以去除开口的下层。
在实施方式中,基板可以包括:第一基底层;在第一基底层上的第一阻挡层;在第一阻挡层上的第二基底层;以及在第二基底层上的第二阻挡层。
在实施方式中,开口的下层可以包括第二基底层和第二阻挡层。
在实施方式中,开口的下层可以包括无机层和位于无机层下方的有机层。
根据另一实施方式,显示装置,包括:基板,该基板包括透射区域、围绕透射区域的显示区域以及在透射区域与显示区域之间的非显示区域;设置在基板上的多个绝缘层;显示元件,该显示元件设置在与显示区域相对应的多个绝缘层上,并且包括像素电极、相对电极以及在像素电极与相对电极之间的中间层;覆盖像素电极的边缘的像素限定层,其中,限定通过像素限定层的与像素电极的一部分相对应的开口;设置在像素限定层的开口的内表面上的有机材料;以及在非显示区域中的槽。在这样的实施方式中,中间层包括有机材料层,并且有机材料层延伸到非显示区域并且被槽断开,并且槽被限定在包括下层和上层的多层中,并且选自下层和上层中的至少一个由构成基板的层中的至少一个来限定。
在实施方式中,有机材料可以包括光致抗蚀剂。
在实施方式中,基板可以包括:第一基底层;在第一基底层上的第一阻挡层;在第一阻挡层上的第二基底层;以及在第二基底层上的第二阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的