[发明专利]一种红外热堆传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种红外热堆传感器，其特征在于，包括：

承载基板；

热电堆结构，所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；

热敏电阻，设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中，所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。

2.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述承载基板包括隔热空腔，所述热堆主体与所述隔热空腔在所述承载基板表面方向上的投影设有重叠的部分，所述热敏电阻设置于所述隔热空腔外。

3.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述热敏电阻的形状包括S形排布或者螺旋状排布的线条状。

4.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述热敏电阻的材料包括铝、铜、镍、铬、铁、钛、金、银、铂、锰、钴、锌等一种、两种或两种以上的金属或金属氧化物；或者半导体材料层；或者含重金属掺杂的半导体层，所述重金属掺杂的离子为：铝、铜、金、铂、银、镍、铁、锰、钼、钨、钛、锌、汞、镉、铬及钒中的一个或多个。

5.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述热电堆结构包括冷结和热结，所述热结位于所述隔热空腔上方，所述冷结远离所述隔热空腔，所述热敏电阻靠近所述冷结。

6.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述红外热堆传感器还包括下盖板，所述下盖板键合于所述承载基板的下方，所述下盖板密封所述隔热空腔。

7.如权利要求6所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述下盖板的下表面设有导电凸块，所述热敏电阻通过贯穿所述下盖板的导电柱与所述导电凸块电性连接。

8.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述热敏电阻位于所述承载基板中，所述热敏电阻的电性通过形成在所述承载基板中的导电插塞从所述承载基板的下表面或上表面引出；或者，

所述热敏电阻位于所述承载基板的下表面，所述承载基板的下表面设有电连接所述热敏电阻的互连结构。

9.如权利要求1所述的红外热堆传感器，其特征在于，所述红外热堆传感器还包括顶盖，所述顶盖设置于所述热电堆结构的上方，并与所述热电堆结构的上表面形成第一空腔。

10.一种红外热堆传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供承载基板，所述承载基板具有相对的第一表面和第二表面；

在所述承载基板的第一表面形成热电堆结构，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；

在所述承载基板内或者承载基板第二表面形成热敏电阻。

11.如权利要求10所述的红外热堆传感器的制造方法，其特征在于，形成所述热电堆结构后，形成所述热敏电阻结构；或者，形成热敏电阻结构后，形成所述热电堆结构。

12.如权利要求10所述的红外热堆传感器的制造方法，其特征在于，在所述承载基板内形成所述热敏电阻包括：

提供第一基板，在所述第一基板中形成凹槽，在所述凹槽中通过沉积工艺形成所述热敏电阻，在所述热敏电阻的上方形成介质层，所述介质层的上表面与所述第一基板的上表面齐平，所述承载基板包括所述第一基板和所述介质层；或，

提供第一基板，在所述第一基板的上表面通过沉积工艺形成热敏电阻材料层，图形化所述热敏电阻材料层，形成所述热敏电阻；

形成介质层覆盖所述热敏电阻和所述第一基板，所述承载基板包括所述第一基板和所述介质层。

13.如权利要求10所述的红外热堆传感器的制造方法，其特征在于，所述热敏电阻形成在所述承载基板内，所述制造方法还包括：从所述承载基板第二表面形成电连接所述热敏电阻的导电插塞。