[发明专利]一种红外热堆传感器及其制造方法在审
申请号: | 202011606307.8 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112614864A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 韩凤芹 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L35/32;H01L35/34;G01J5/20 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 刘亭 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 红外 传感器 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种红外热堆传感器及其制造方法,其中,红外热堆传感器包括:承载基板;热电堆结构,所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方,所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体,所述热堆主体用于接收红外辐射;热敏电阻,设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中,所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本发明的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中,在承载基板上形成热电堆结构,热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上,可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成,满足小型化的要求。
技术领域
本发明涉及红外测温领域,尤其涉及一种红外热堆传感器及其制造方法。
背景技术
在门类繁多的传感器当中,温度传感器在应用领域和数量方面都是首屈一指的。随着现代电子技术的发展,温度传感器在工业技术、科学研究及日常生活中得到了日益广泛的应用,以热电堆为感温元件的温度传感器被广泛应用于温度测量、控制等领域。由于各行业对温度控制的需求越来越严格和精密,对产品的可靠性要求更加苛刻,体积要求更小,灵敏度要求更高,安装和使用要求更方便。
目前制造的红外热电堆传感器通常集成有热敏电阻,在制造红外热电堆传感器时分别制造热电堆结构和热敏电阻,之后将热敏电阻和热电堆分别焊接在封装壳内。这样的制造方法使热电堆结构和热敏电阻集成性不好,红外热电堆传感器的体积无法进一步缩小。
因此,期待一种新的红外热堆传感器,能够更好的实现热敏电阻与热电堆结构的集成,以简化工艺、满足小型化及批量化生产的要求。
发明内容
本发明揭示了一种红外热堆传感器及其制造方法,能够解决热电堆结构和热敏电阻集成度不好的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种红外热堆传感器,包括:
承载基板;
热电堆结构,所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方,所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体,所述热堆主体用于接收红外辐射;
热敏电阻,设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中,所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。
本发明还提供了一种红外热堆传感器的制造方法,包括:
提供承载基板,所述承载基板具有相对的第一表面和第二表面;
在所述承载基板的第一表面形成热电堆结构,所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体,所述热堆主体用于接收红外辐射;
在所述承载基板内或者承载基板第二表面形成热敏电阻。
本发明的有益效果在于:
本发明的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中,在承载基板上形成热电堆结构,热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上,可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成,满足小型化的要求。
进一步,热敏电阻距离热电堆结构的冷端较近,获得的冷端温度更为精确,能提高传感器的测量精度。
本发明的红外热堆传感器的制造方法,通过半导体工艺在同一承载基板上形成热敏电阻和热电堆结构,简化工艺流程,实现批量化生产,热敏电阻在形成热电堆结构之前和之后都可以形成,提高了工艺灵活性。
进一步,热电堆结构和热敏电阻结构均可以通过半导体工艺形成,兼容性好。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述,本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显,在本发明示例性实施例中,相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了实施例1的一种红外热堆传感器的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的