[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的半导体外延层；

位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的源极、栅极和漏极；

位于所述栅极远离所述衬底的一侧，并与所述栅极间隔设置的源场板；

以及，位于所述源极远离所述衬底的一侧，并与所述源极连接的金属互联层；

其中，所述栅极和所述源场板之间形成介质空间，所述源场板和所述金属互联层一体设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互联层上设置有隔离结构，所述隔离结构将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块，至少一个所述金属导电块与所述源场板一体设置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括至少两个分隔线部，至少两个所述分隔线部相交，并将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，每个所述分隔线部均延伸至所述金属互联层的边缘。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源场板和所述金属互联层之间还一体设置有多个连接金属桥，相邻的所述连接金属桥之间设置有至少一个所述分隔线部。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈镂空状，或者填充有介质材料。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每相邻两个所述金属导电块之间的距离大于或者等于2微米。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互联层在所述衬底上的投影面积S1是所述源极在所述衬底上的投影面积S2的0.4-1.6倍。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧制备半导体外延层；

在所述半导体外延层远离所述衬底的一侧制备源极、栅极和漏极；

在位于所述源极远离所述衬底的一侧制备金属互联层，并在位于所述栅极远离所述衬底的一侧制备源场板；

其中，所述源场板与所述栅极间隔设置，并形成介质空间，且所述源场板和所述金属互联层一体成型。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在位于所述源极远离所述衬底的一侧制备金属互联层，并在位于所述栅极远离所述衬底的一侧制备源场板的步骤之前，所述方法还包括：

在所述半导体外延层远离所述衬底的一侧制备介质层，所述介质层覆盖在所述栅极和所述漏极上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在位于所述源极远离所述衬底的一侧制备金属互联层，并在位于所述栅极远离所述衬底的一侧制备源场板的步骤，包括：

在所述源极远离所述衬底的一侧和所述介质层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶层，并显影出所述源场板和所述金属互联层的形状；

在所述光刻胶层远离所述衬底的一侧进行金属淀积；

剥离多余的金属淀积物，并形成所述源场板和所述金属互联层。