[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、金属电极、源场板和金属互联层，半导体外延层位于衬底一侧，金属电极包括源极、栅极和漏极，且源极、栅极和漏极均位于半导体外延层远离衬底一侧，源场板位于栅极远离衬底的一侧，并与栅极间隔设置，其中，栅极和源场板之间形成介质空间，源场板和金属互联层一体设置。本发明使得金属互联层和源场板能够一体成型，相较于现有的分体结构，使得器件结构更加简单，并且简化了工艺步骤，节约了生产成本，提升了生产效率。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

背景技术

半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，因此氮化镓基电子器件具有很好的应用前景。

工作在高漏源电压下的HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)器件，其栅极靠近漏端一侧附近会形成一个高电场尖峰，这种局部区域的高电场可以引起非常大的栅极泄露电流，甚至导致材料击穿，器件失效，进而影响器件工作可靠性，降低器件寿命，使得HEMT器件高温、高压、高频的优势不能充分发挥。所以，在实际器件的结构设计和工艺研发中，人们总会采取各种方法降低器件栅极附近的强电场以提高器件的击穿电压并获得优良的可靠性。

目前广泛使用的方法是采用场板结构，即在栅极靠近漏端一侧放置一个场板，场板通常与源极或栅极相连，在栅漏区域产生一个附加电势，增加了耗尽区的面积，提高了耗尽区的耐压，并且该场板对栅极近漏端边缘的密集电场线进行了调制，使得电场线分布更加均匀，降低了栅极近漏端边缘的电场，减小了栅极泄露电流，提高了器件击穿电压。现有技术中场板的结构通常为分体设置，即场板结构和源极上的互联金属先后设置，且材料不同，这种设计会影响场板制作工艺效率，且工艺步骤和结构复杂，生产成本高。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，其使得结构更加简单，并简化了工艺步骤，节约了生产成本，提升了生产效率。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种半导体器件，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的半导体外延层；

位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的源极、栅极和漏极；

位于所述栅极远离所述衬底的一侧，并与所述栅极间隔设置的源场板；

以及，位于所述源极远离所述衬底的一侧，并与所述源极连接的金属互联层；

其中，所述栅极和所述源场板之间形成介质空间，所述源场板和所述金属互联层一体设置。

在可选的实施方式中，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层至少部分位于所述介质空间。

在可选的实施方式中，所述介质层位于在所述半导体外延层远离所述衬底的一侧，并覆盖在所述栅极和所述漏极上，所述源场板位于所述介质层上。

在可选的实施方式中，所述金属互联层上设置有隔离结构，所述隔离结构将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块，至少一个所述金属导电块与所述源场板一体设置。

在可选的实施方式中，所述隔离结构包括至少两个分隔线部，至少两个所述分隔线部相交，并将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块，至少一个所述分隔线部与所述介质层连接。

在可选的实施方式中，每个所述分隔线部均延伸至所述金属互联层的边缘。