[发明专利]高整合度场型可变化多天线阵列

权利要求书

1.一种高整合度场型可变化多天线阵列，包含：

接地导体结构；

第一天线阵列，其包含多个第一倒L型共振结构，所述多个第一倒L型共振结构均各自具有第一共振路径，其中一第一倒L型共振结构具有第一馈入点，其他的第一倒L型共振结构均各自具有第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第一开关均各自具有第一开关中心点，所述第一天线阵列产生第一共振模态；

第二天线阵列，其包含多个第二倒L型共振结构，所述多个第二倒L型共振结构均各自具有第二共振路径，其中一第二倒L型共振结构具有第二馈入点，其他的第二倒L型共振结构均各自具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二开关均各自具有第二开关中心点，所述第二天线阵列产生第二共振模态，所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段；以及

阵列共构接地结构，其具有阵列共构电容性结构，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构、其中一第二倒L型共振结构以及所述接地导体结构。

2.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一馈入点与其相邻的第一开关中心点之间具有各自的第一间距，各所述第一间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。

3.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，相邻各所述第一开关中心点之间均具有各自的第二间距，各所述第二间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。

4.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二馈入点与其相邻的第二开关中心点之间具有各自的第三间距，各所述第三间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。

5.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，相邻各所述第二开关中心点之间均具有各自的第四间距，各所述第四间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。

6.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，各所述第一共振路径的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。

7.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，各所述第二共振路径的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。

8.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有所述第一馈入点，所述第二倒L型共振结构具有所述第二馈入点。

9.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二倒L型共振结构具有所述第二馈入点。

10.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二倒L型共振结构具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。

11.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

12.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，部分或全部所述多个第一倒L型共振结构各自具有第一电容性结构。