[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

搬入工序，将设有附着了残渣的槽的基板搬入至处理室；

第一处理工序，对上述基板进行加热并使上述残渣从上述槽脱离；以及

第二处理工序，在上述第一处理工序之后将上述基板的表面加热至比上述第一处理工序的温度高的温度，并从上述槽向上述处理室的处理空间排出上述残渣。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二处理工序中，以上述槽的上部区域的温度比上述槽的下部区域的温度高的方式进行加热。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将上述第一处理工序和上述第二处理工序重复进行预定次数。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述处理室设置有：第一加热部，其从上述基板的背面对上述基板进行加热；以及第二加热部，其从上述基板的表面对上述基板进行加热，

以在上述第一处理工序中不使上述第二加热部工作而使上述第一加热部工作，且在上述第二处理工序中使上述第二加热部及上述第一加热部工作的方式进行控制。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述处理室设置有：第一加热部，其从上述基板的背面对上述基板进行加热；以及第二加热部，其从上述基板的表面对上述基板进行加热，

以在上述第一处理工序中不使上述第二加热部工作而使上述第一加热部工作，且在上述第二处理工序中使上述第二加热部及上述第一加热部工作的方式进行控制。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述处理室设置有：第一加热部，其从上述基板的背面对上述基板进行加热；以及第二加热部，其从上述基板的表面对上述基板进行加热，

以在上述第一处理工序中不使上述第二加热部工作而使上述第一加热部工作，且在上述第二处理工序中使上述第二加热部及上述第一加热部工作的方式进行控制。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二处理工序之后，具有向上述处理室供给惰性气体的第三处理工序。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置的制造方法，其特征在于，

在上述第三处理工序之后，具有使上述基板的表面的温度比上述第三处理工序中的基板表面的温度高的第四处理工序。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二处理工序之后，具有向上述处理室供给惰性气体的第三处理工序。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置的制造方法，其特征在于，

在上述第三处理工序之后，具有使上述基板的表面的温度比上述第三处理工序中的基板表面的温度高的第四处理工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第四处理工序中，以上述槽的上部区域的温度比上述槽的下部区域的温度高的方式进行加热。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述处理室设置有：第一加热部，其从上述基板的背面侧对上述基板进行加热；以及第二加热部，其从上述基板的表面对上述基板进行加热，

以在上述第三处理工序中不使上述第二加热部工作而使上述第一加热部工作，且在上述第四处理工序中使上述第二加热部及上述第一加热部工作的方式进行控制。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将上述第三处理工序和上述第四处理工序重复进行预定次数。