[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质，能够在成膜处理之前将槽中的残留成分排出并形成均匀特性的膜。为了解决上述课题而提供如下技术，该技术具有：搬入工序，将设有附着了残渣的槽的基板搬入至处理室；第一处理工序，对上述基板进行加热并使上述残渣从上述槽脱离；以及第二处理工序，在上述第一处理工序之后将上述基板的表面加热至比上述第一处理工序的温度高的温度，并从上述槽向上述处理室的处理空间排出上述残渣。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。

背景技术

通常在半导体装置的制造工艺中有多个在基板上形成各种膜或进行加工等的工序。

近年来随着器件结构的高集成化，要求在晶圆上的膜上形成高纵横比的槽。一般通过蚀刻处理来形成槽。在蚀刻处理后进行清洗处理，以除去槽中的残渣。在清洗处理后进行后续处理，例如是在槽中形成膜的成膜处理。例如，专利文献1公开了在高纵横比的槽中成膜的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019—160962

发明内容

发明所要解决的课题

对于在高纵横比的槽的表面形成的膜而言，要求从槽的底部到上部的均匀特性。均匀特性是指膜厚、膜质均匀。

为了对高纵横比的槽表面进行处理，需要向槽中供给处理气体。

但是，在向槽中供给处理气体之前进行的处理是例如蚀刻处理、清洗处理，有时会残留在这些处理中使用的清洗液等的成分。于是，有可能无法形成均匀特性的膜。

因此，本公开的目的在于提供如下一种技术，其能够在供给处理气体之前将槽中的残留成分排出并形成均匀特性的膜。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题而提供如下技术，具有：将设有附着了残渣的槽的基板搬入至处理室的搬入工序；对上述基板进行加热并使上述残渣从上述槽脱离的第一处理工序；以及在上述第一处理工序之后，将上述基板的表面加热至比上述第一处理工序的温度高的温度，并从上述槽向上述处理室的处理空间排出上述残渣的第二处理工序。

发明的效果

根据本公开，能够提供如下一种技术，其能够在供给处理气体之前将槽中的残留成分排出并形成均匀特性的膜。

附图说明

图1是本公开实施方式的基板处理装置的剖视图。

图2是对本公开实施方式的气体供给部进行说明的说明图。

图3是对本公开实施方式的控制器进行说明的说明图。

图4是对以本公开的实施方式进行处理的晶圆的状态进行说明的说明图。

图5是本公开实施方式的基板处理的流程例。

图6是本公开实施方式的基板处理的流程例。

图7是本公开实施方式的基板处理的流程例。

图8的(a)至(c)是对以本公开的实施方式进行处理的晶圆的状态进行说明的说明图。

图9的(a)至(d)是对以本公开的实施方式进行处理的晶圆的状态进行说明的说明图。

图中：

100—晶圆(基板)；102—槽；103—残渣；200—基板处理装置；201—处理空间；205—处理室；213—加热器；244—气体供给孔；290—惰性气体供给部；261—灯；310—控制器。

具体实施方式