[发明专利]一种射频开关的加工工艺在审

专利信息
申请号: 202011611716.7 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112645280A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 向小健;郑泉水 申请(专利权)人: 深圳清华大学研究院;清华大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81C3/00;H01H1/00
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 满群
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 开关 加工 工艺
【权利要求书】:

1.射频开关的加工工艺,包括如下步骤:

提供基底,所述基底的至少一个表面具有原子级平整面;

转移滑动部件,将所述滑动部件转移至所述原子级平整面上;

其特征在于,还包括如下步骤:

设置固定胶层,在所述原子级平整面上设置固定胶层,所述固定胶层覆盖所述原子级平整面和所述滑动部件;

弹性件成形,在所述固定胶层上刻蚀凹槽,并向所述凹槽内填充弹性件材料,形成弹性件;

释放弹性件,去除所述固定胶层并释放所述弹性件。

2.如权利要求1所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述弹性件为弹簧,且所述弹性件材料为金属材料。

3.如权利要求1所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述凹槽包括位于所述滑动部件上的第一固定区、位于所述滑动部件的滑动区域外侧的第二固定区以及连接所述第一固定区和所述第二固定区的连接区,所述连接区的底面高于所述基底的上表面。

4.如权利要求3所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述第一固定区的槽延伸至所述滑动部件上,所述第二固定区的槽延伸至所述基底。

5.如权利要求3所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述连接区的形状为弯折形、螺旋形、波形或弓形。

6.如权利要求3至5任一项所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述第二固定区和所述连接区的数量均为至少两个,至少两个所述第二固定区和所述连接区分别位于所述滑动部件的相对两侧。

7.如权利要求3至5任一项所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述滑动部件包括超滑片和设于所述超滑片上的介质层,所述超滑片与所述基底超滑接触,所述第一固定区位于所述介质层上方。

8.如权利要求7所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述第一固定区的横截面面积小于或等于所述介质层的横截面面积。

9.如权利要求1至8任一项所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述基底包括绝缘层,所述绝缘层的表面为原子级平整表面。

10.如权利要求1至8任一项所述的射频开关的加工工艺,其特征在于:所述释放弹性件的步骤中,采用湿法去除所述固定胶层,并烘干所述射频开关。

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