[发明专利]一种射频开关的加工工艺在审
申请号: | 202011611716.7 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112645280A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 向小健;郑泉水 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C3/00;H01H1/00 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 满群 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 开关 加工 工艺 | ||
本发明提供了一种射频开关的加工工艺,包括如下步骤:提供基底、转移滑动部件、设置固定胶层、弹性件成形和释放弹性件,朝向原子级平整面上设置固定胶层,固定胶层覆盖原子级平整面和滑动部件;在固定胶层上刻蚀形成用于形成弹性件的凹槽,并朝向凹槽内填充弹性件材料,形成弹性件;去除固定胶层并释放弹性件。本发明提供的射频开关的加工工艺,能够加工出带有弹性件的射频开关,弹性件位于滑动部件的一侧,能够对滑动部件的移动进行限定,避免出现滑动速度过快产生冲击和碰撞的问题,且弹性件的生产和加工过程均不会破坏基底的表面平整度,在射频开关中使得滑动部件与弹性件之间可以构成简单的弹簧‑质量振子系统。
技术领域
本发明属于MEMS器件的领域,更具体地说,是涉及一种射频开关的加工工艺。
背景技术
RF MEMS射频开关与传统半导体开关相比,由于利用机械式切换来控制射频信号的通断,具有高线性度、低损耗、高隔离度等优异射频特性,正逐渐成为未来射频开关的主流方案,有潜力成为下一代移动通信终端及系统、卫星通信系统、高性能相控阵雷达等国防和民用领域先进电子装备的关键技术之一。
目前RF MEMS射频开关的工程化应用已经呼之欲出,但要真正大规模推广应用,还需要大幅度提高器件的可靠性和使用寿命等性能指标。目前应对RF MEMS开关的可靠性的问题,其主要是通过结构超滑技术,例如申请号为CN111884644A的中国专利申请中,公开了一种并联RF-MEMS开关,但是由于无摩擦力,电压的驱动力较大,因此在射频开关切换过程中,滑动部件的滑动速度较快,可能会产生冲击和碰撞的问题,因此需要设置缓冲元件进行缓冲,但是缓冲元件的设置可能会影响基底表面的平整性,因此需要一种加工工艺,能够加工出不影响基底表面平整性的缓冲元件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种射频开关的加工工艺,以解决如何加工出缓冲元件且不会影响基底的表面平整性的技术问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种射频开关的加工工艺,包括如下步骤:
提供基底,所述基底的至少一个表面具有原子级平整面;
转移滑动部件,将所述滑动部件转移至所述原子级平整面上;
设置固定胶层,在所述原子级平整面上设置固定胶层,所述固定胶层覆盖所述原子级平整面和所述滑动部件;
弹性件成形,在所述固定胶层上刻蚀凹槽,并向所述凹槽内填充弹性件材料,形成弹性件;
释放弹性件,去除所述固定胶层并释放所述弹性件。
进一步地,所述弹性件为弹簧,且所述弹性件材料为金属材料。
进一步地,所述凹槽包括位于所述滑动部件上的第一固定区、位于所述滑动部件的滑动区域外侧的第二固定区以及连接所述第一固定区和所述第二固定区的连接区,所述连接区的底面高于所述基底的上表面。
进一步地,所述第一固定区的槽延伸至所述滑动部件上,所述第二固定区的槽延伸至所述基底。
进一步地,所述连接区的形状为弯折形、螺旋形、波形或弓形。
进一步地,所述第二固定区和所述连接区的数量均为至少两个,至少两个所述第二固定区和所述连接区分别位于所述滑动部件的相对两侧。
进一步地,所述滑动部件包括超滑片和设于所述超滑片上的介质层,所述超滑片与所述基底超滑接触,所述第一固定区位于所述介质层上方。
进一步地,所述第一固定区的横截面面积小于或等于所述介质层的横截面面积。
进一步地,所述基底包括绝缘层,所述绝缘层的表面为原子级平整表面。
进一步地,所述释放弹性件的步骤中,采用湿法去除所述固定胶层,并烘干所述射频开关。
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