[发明专利]光电芯片和光电芯片的制备方法

权利要求书

1.一种光电芯片，其特征在于，包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，所述第一区域包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、以及设于所述外延结构上的掩蔽膜；所述第二区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第一扩散掺杂层；所述第三区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第二扩散掺杂层；所述第一扩散掺杂层与所述第二扩散掺杂层彼此间隔分开。

2.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域的数量为一个或多个；所述第三区域的数量为一个。

3.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域和所述第三区域间隔分布，所述第二区域和所述第三区域之间的最短间隔间距大于10um。

4.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散浓度相同，且所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散深度相同。

5.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域的表面积大于所述第三区域的表面积。

6.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第一扩散掺杂层的外部轮廓为圆形，所述第二扩散掺杂层的外部轮廓为圆形；所述第一扩散掺杂层的直径大于所述第二扩散掺杂层的直径。

7.根据权利要求6所述的光电芯片，其特征在于，所述第一扩散掺杂层的直径的取值范围为30um至50um。

8.一种光电芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成外延结构；

在所述外延结构上形成掩蔽膜；

去除所述掩蔽膜上的部分区域以分别形成第一预设区域和第二预设区域；

同时对所述第一预设区域和所述第二预设区域进行扩散掺杂形成第一扩散掺杂层和第二扩散掺杂层，所述第一扩散掺杂层与所述第二扩散掺杂层彼此间隔分开；

所述衬底、所述外延结构和所述掩蔽膜构成第一区域，所述衬底、所述外延结构、所述第一扩散掺杂层构成第二区域，所述衬底、所述外延结构和所述第二扩散掺杂层构成第三区域。

9.根据权利要求8所述的光电芯片的制备方法，其特征在于，所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散浓度相同，且所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散深度相同。

10.根据权利要求8所述的光电芯片的制备方法，其特征在于，所述去除所述掩蔽膜上的部分区域包括通过光刻去除所述掩蔽膜上的部分区域。