[发明专利]一种显示面板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 202011614256.3 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112768590A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 李恭檀 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板。所述制备方法包括步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板之上且对应于非发光区制备薄膜晶体管层;在所述衬底基板之上且对应于发光区制备多个金属接触电极;在所述薄膜晶体管层和所述金属接触电极之上制备黑色有机胶层,所述黑色有机胶层中包括多个金属球;以及将多个LED芯片置于对应于所述发光区的所述黑色有机胶层之上,使用第一力度按压多个所述LED芯片,使每个所述LED芯片的第一电极和第二电极与对应的所述金属接触电极之间的所述黑色有机胶层形成导电区域而分别使所述第一电极和所述第二电极与对应的所述金属接触电极导通。本发明能够避免钢网印刷容易刮伤薄膜晶体管的问题,提高生产良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
目前Mini LED(Mini Light-Emitting Diode,迷你发光二极管)广泛的应用在超大尺寸(大于100英寸)的显示器中,其主流技术是采用PCB(Printed Circuit Board,印刷电路板)作为基板的小间距LED技术。基于PCB基板的技术方案是将负责驱动的MOS(Metal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)管和LED灯封装在一起,再转移和固定在PCB基板上。但这个技术方案面临两个方面的问题。第一、MOS管和LED灯封装的尺寸较大;第二、PCB板和MOS管的成本较高。而采用TFT(Thin-Film Transistor,薄膜晶体管)基板驱动MiniLED的技术方案可以解决这两个问题。与PCB基板和MOS管的技术方案相比,采用TFT基板驱动能够省去MOS管的器件成本,而且现有的面板厂生产的TFT基板的尺寸较大,相较于PCB基板来说,单位面积的TFT基板的成本更低。以及由于不需要将MOS管与LED灯封装在一起,器件整体的尺寸可以缩小,在实现更小的像素间距方面也有优势。因此,采用TFT基板驱动的Mini LED的拼接屏得到了广大厂商的青睐。
现有的Mini LED显示屏的制作流程中,需要在基板上进行LED芯片固晶。固晶的步骤如下:采用钢网印刷焊锡;利用固晶机将芯片放置在焊盘处;进行回流焊,将焊锡融化使得焊盘和芯片接触良好;清洗残余的松香,并在表面涂抹封装胶进行保护。现有的TFT阵列均制备在玻璃基板上,在玻璃基板上进行钢网印刷时,钢网容易刮伤玻璃基板上的薄膜,导致TFT阵列中的电路和器件遭到损伤。目前的解决方案是在钢网印刷前在玻璃基板上涂布一层保护层,该保护层能起到防刮伤的功能。但是制备保护层的生产效率较低,对钢网刮伤的防护能力有限。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板,用于解决现有技术的显示面板易被钢网印刷焊锡刮伤,导致生产良率较低的技术问题,以及涂布保护层存在生产效率较低,以及防刮能力有限的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括发光区和非发光区,所述制备方法包括下列步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板之上且对应于所述非发光区制备薄膜晶体管层;在所述衬底基板之上且对应于所述发光区制备多个金属接触电极,所述多个金属接触电极分别与所述薄膜晶体管层电连接;在所述薄膜晶体管层和所述金属接触电极之上制备黑色有机胶层,所述黑色有机胶层中包括多个金属球;将多个LED芯片置于对应于所述发光区的所述黑色有机胶层之上,且每个所述LED芯片对应两个所述金属接触电极,使用第一力度按压多个所述LED芯片,使每个所述LED芯片的第一电极和第二电极与对应的所述金属接触电极之间的所述黑色有机胶层形成导电区域而分别使所述第一电极和所述第二电极与对应的所述金属接触电极导通;以及在所述黑色有机胶层之上制备封装胶,所述封装胶覆盖多个所述LED芯片。
在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中,所述黑色有机胶层的材料为丁腈橡胶、氯丁橡胶、或硅橡胶。
在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中,所述黑色有机胶层的厚度范围为1微米至20微米。
在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中,所述金属球的直径范围为10纳米至200纳米。
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