[发明专利]一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极在审
申请号: | 202011614982.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112652509A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 李文亮;周博文;侯瑞;张鹏蛟;张鸿;孙安;李俊周 | 申请(专利权)人: | 南京大学;南京质子源工程技术研究院有限公司;江苏安德信超导加速器科技有限公司 |
主分类号: | H01J3/40 | 分类号: | H01J3/40;H01J3/04 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 顾翰林 |
地址: | 210046 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 65 kev 双等离子体离子源 质子 引出 电极 | ||
本发明公开了一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极,属于离子源技术领域,包括从前至后依次设置的阳极、前隔套、抑制电极、后隔套、地电极和法兰盘;前隔套与后隔套均为陶瓷隔套。本发明是一种可抑制二次电子回到离子源的双等离子体离子源质子引出的引出电极。
技术领域
本发明属于离子源技术领域,尤其涉及一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极。
背景技术
目前常用的引出电极有平板式和锥形等不同的形式,现有引出电极容易造成二次电子回到离子源,造成束流的不稳定,进而影响了束流的稳定性。
发明内容
本发明的目的是提供一种可抑制二次电子回到离子源的等离子体离子源质子引出的引出电极。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极,包括从前至后依次设置的阳极、前隔套、抑制电极、后隔套、地电极和法兰盘;
抑制电极包括从后至前依次衔接的第一环形部、第一锥筒部和第二锥筒部,第二锥筒部前端设置通孔;
地电极包括从后至前依次衔接的环形部、锥筒部a和锥筒部b,锥筒部b前端也设置通孔;
地电极的锥筒部b前端伸入抑制电极的第二锥筒部内,锥筒部b与第二锥筒部相间隔,第一锥筒部与锥筒部a均设有通气孔;
前隔套与后隔套均为陶瓷隔套;
法兰盘设有中心孔,法兰盘的中心孔、地电极内腔、后隔套内腔、抑制电极内腔和前隔套内腔相互连通且五者构成的腔室为真空腔。
阳极包括阳极安装板,阳极安装板、前隔套、抑制电极的第一环形部、后隔套、地电极的环形部和法兰盘依次接触。
前隔套与抑制电极的第一环形部之间、抑制电极的第一环形部与后隔套之间、后隔套与地电极的环形部之间以及地电极的环形部与法兰盘之间均设有密封圈。
阳极加一个外接的65KV的电源,抑制电极加一个外接的-5KV的电源,地电极连接地线。
阳极安装板与法兰盘之间通过陶瓷螺栓固定连接。
本发明所述的一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极,利用抑制电极,可防止二次电子回到离子源,束流稳定,本发明适用于65KeV双等离子体离子源,是一种质子束低发射度、高引出效率的引出电极。结构相对简单,利于生产,对二次电子抑制率高,束流稳定度高。锥筒部b内壁面和第二锥筒部内壁面锥角均为90°,可实现最大化对二次电子的抑制。
附图说明
图1是抑制电极的结构示意图;
图2是抑制电极的立体图;
图3是地电极的结构示意图;
图4是图3的右视图;
图5是本发明的结构示意图;
图6是质子束流引出仿真图;
图中:第一环形部1、环形凹槽2、密封圈槽3、中心通孔4、第一锥筒部5、第二锥筒部6、通孔7、通气孔8、抑制电极9、环形部10、锥筒部a11、锥筒部b12、地电极13、法兰盘14、密封圈15、陶瓷螺栓16、后隔套17、阳极孔18、前隔套19、阳极安装板20、中心孔21、阳极22、质子束流23。
具体实施方式
由图1-图5所示的一种用于65KeV双等离子体离子源质子引出的引出电极,包括从前至后依次设置的阳极22、前隔套19、抑制电极9、后隔套17、地电极13和法兰盘14。
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