[发明专利]位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法有效
申请号: | 202011619561.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN113161273B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 渡边真二郎;荒卷宏二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 偏离 检测 方法 装置 异常 判定 控制 | ||
1.一种基板的位置偏离检测方法,包括以下步骤:
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息;
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部,并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置;
获取被保持于所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息;以及
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较,来检测所述基板的位置偏离。
2.根据权利要求1所述的基板的位置偏离检测方法,其特征在于,
还包括以下步骤:使载置有所述基板的所述载置台上升并移动到所述第一高度位置,
获取所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤是获取被载置且吸附于移动到了所述第一高度位置的所述载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的基板的位置偏离检测方法,其特征在于,
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置的步骤是在解除了对所述基板的吸附的状态下使所述载置台下降至比所述第一高度位置低的第二高度位置并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置的步骤。
4.一种基板位置的异常判定方法,包括:
根据权利要求1至3中的任一项所述的基板的位置偏离检测方法;以及
基于所述基板的位置偏离来判定所述基板的位置是否为异常的步骤。
5.根据权利要求4所述的基板位置的异常判定方法,其特征在于,还包括以下步骤:
当在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置为异常时,判定所述基板的位置是否能够校正;以及
当在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为不能够校正时,通知异常。
6.一种基板搬送控制方法,包括:
根据权利要求4或5所述的基板位置的异常判定方法;
在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为能够校正时使搬送机构接受被所述保持部保持的所述基板的步骤;
使校正装置校正被所述搬送机构接受的所述基板的位置偏离的步骤;以及
使所述搬送机构将被校正了所述位置偏离的基板收纳在收纳部中的步骤。
7.一种基板搬送控制方法,包括:
根据权利要求4或5所述的基板位置的异常判定方法;
在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置不为异常时使搬送机构接受被所述保持部保持的所述基板的步骤;以及
使收纳部收纳被所述搬送机构接受的所述基板的步骤。
8.一种基板的位置偏离检测方法,包括以下步骤:
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息;
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部,并使保持部保持所述基板;
使搬送机构接受被保持的所述基板;
获取使所述搬送机构保持在所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息;
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较,来检测所述基板的位置偏离。
9.根据权利要求8所述的基板的位置偏离检测方法,其特征在于,
还包括以下步骤:使载置有所述基板的所述载置台上升并移动到所述第一高度位置,
获取所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤是获取被载置且吸附于移动到了所述第一高度位置的所述载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011619561.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造