[发明专利]半导体封装结构和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

重布结构，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和从所述第一表面延伸到所述第二表面的无电路区；和

阻抗匹配装置，其安置于所述重布结构上，且包括与所述无电路区对准的至少一个阻抗匹配电路。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述无电路区的厚度实质上等于所述重布结构从所述第一表面到所述第二表面的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述阻抗匹配电路的投影区域落在所述无电路区内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述阻抗匹配装置包括变压器。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述变压器通过电接点与所述无电路区间隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括安置于所述重布结构上且电连接所述阻抗匹配装置的至少一个半导体装置。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其进一步包括：

封装体，其密封所述半导体装置和所述阻抗匹配装置；和

屏蔽结构，其覆盖所述封装体且电连接所述重布结构。

8.一种半导体封装结构，其包括：

导电结构，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面；

较低分辨率阻抗可匹配装置，其安置于所述导电结构上，且包括重布结构和安置于所述重布结构上的第一电子元件；

较高分辨率阻抗可匹配装置，其安置于所述导电结构上；和

至少一个电元件，其安置于所述导电结构的所述下表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述第一电子元件包括阻抗匹配元件，所述重布结构包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面延伸到所述第二表面的无电路区，且所述无电路区对准所述阻抗匹配元件。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述阻抗匹配元件包括变压器。

11.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述导电结构包括导电层，所述导电层作为所述阻抗匹配元件的接地平面。

12.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述较高分辨率阻抗可匹配装置包括重布结构、安置于所述重布结构中的阻抗匹配电路和安置于所述重布结构上的至少一个电子元件。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述较高分辨率阻抗可匹配装置的所述电子元件包括滤波器。

14.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其进一步包括安置于所述重布结构上的第二电子元件，

其中所述较低分辨率阻抗可匹配装置进一步包括第一封装体和第一屏蔽层，所述第一封装体密封所述重布结构、所述第一电子元件和所述第二电子元件，且所述第一屏蔽层安置于所述第一封装体上且电连接所述重布结构，

其中所述较高分辨率阻抗可匹配装置进一步包括第二封装体和第二屏蔽层，所述第二封装体密封所述重布结构和所述电子元件，且所述第二屏蔽层安置于所述第二封装体上且电连接所述重布结构。

15.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其进一步包括安置于所述导电结构上的至少一个阻抗可匹配装置，所述阻抗可匹配装置的分辨率在所述较低分辨率阻抗可匹配装置与所述较高分辨率阻抗可匹配装置之间。

16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其进一步包括封装体，所述封装体密封所述较低分辨率阻抗可匹配装置、所述较高分辨率阻抗可匹配装置和所述阻抗可匹配装置。