[发明专利]半导体封装结构和其制造方法在审
申请号: | 202011620903.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130439A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 孔政渊;林弘毅 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/64;H01L21/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 制造 方法 | ||
本公开涉及一种半导体封装结构和用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包括重布结构和阻抗匹配装置。所述重布结构包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和从所述第一表面延伸到所述第二表面的无电路区。所述阻抗匹配装置安置于所述重布结构上,且包括与所述无电路区对准的至少一个阻抗匹配电路。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装结构和一种制造方法,且涉及一种包括用于电连接和阻 抗匹配的至少一个重布结构的半导体封装结构和一种用于制造半导体封装结构的方法。
背景技术
随着半导体处理技术的快速进展,半导体装置(semiconductor devices)与数目增加的 电子元件(electronic components)集成,以实现更好的电气性能和更多的功能。因此,半 导体装置具备更多输入/输出(input/output;I/O)连接。为了制造包括具有I/O连接数目增 加的半导体装置的半导体封装(semiconductor packages),会对应地增加用于承载半导体 装置的半导体衬底(semiconductor substrates)的电路层(circuit layers)的数目。因此,半导 体衬底的整体厚度(whole thickness)会对应地增加,且用于半导体装置的阻抗匹配 (impedance matching)操作会变得更困难。
发明内容
在一些实施例中,一种半导体封装结构包括重布结构和阻抗匹配装置。重布结构包 括第一表面、与第一表面相对的第二表面和从第一表面延伸到第二表面的无电路区。阻抗匹配装置安置于重布结构上,且包括与无电路区对准的至少一个阻抗匹配电路。
在一些实施例中,一种半导体封装结构包括导电结构、较低分辨率阻抗可匹配装置、 较高分辨率阻抗可匹配装置和至少一个电元件。导电结构具有上表面和与上表面相对的 下表面。较低分辨率阻抗可匹配装置安置于导电结构上,且包括重布结构和安置于重布结构上的第一电子元件。较高分辨率阻抗可匹配装置安置于导电结构上。电元件安置于 导电结构的下表面上。
在一些实施例中,一种用于制造半导体封装结构的方法包括:提供包括接地平面的 导电结构;和安置第一阻抗可匹配装置于导电结构上,以对准接地平面。
附图说明
当结合附图阅读时,可从以下具体实施方式容易地理解本公开的一些实施例的各方 面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。
图1显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图2显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。
图3显示沿着图2的C-C线的剖视图。
图4显示图3的区域“A”的放大视图。
图5显示图3的区域“B”的放大视图。
图6显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图7显示图6的区域“D”的放大视图。
图8显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图9显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图10显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图11显示本公开的一些实施例的半导体封装结构的剖视图。
图12显示本公开的用于制造半导体封装结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。
图13显示本公开的用于制造半导体封装结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。
图14显示本公开的用于制造半导体封装结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。
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