[发明专利]半导体模块在审

专利信息
申请号: 202011621177.5 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN113161296A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 益本宽之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/31
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【说明书】:

本发明得到一种能够提高耐湿性的半导体模块。在壳体(7)的内部设置有半导体芯片(5)。封装材料(10)被注入至壳体(7)的内部,对半导体芯片(5)进行封装。以与封装材料(10)的上表面接触的方式在壳体(7)的内部设置有盖(11)。在盖(11)的端部的上表面侧设置有锥部(12)。在盖(11)的端部的侧面与壳体(7)的内侧面之间设置有间隙(13)。封装材料(10)从间隙(13)爬升至锥部(12)。

技术领域

本发明涉及半导体模块。

背景技术

半导体模块被用在发电、输电、高效的能量利用或者再生等各种场景中。近来,半导体模块的耐湿性的要求变高。为了防止形成水分向模块内部侵入的路径,需要对封装材料内的气泡的产生进行抑制。对此,提出了将用于注入封装材料的注入口和排气口设置于盖的半导体模块(例如,参照专利文献1)。即使在注入时在封装材料内形成气泡,气泡也从排气口排出。

专利文献1:日本特开2008-103514号公报

但是,由于需要将注入口和排气口双方设置于盖,因此存在封装材料露出至大气的面积增加,耐湿性受损的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述那样的课题而提出的,其目的在于,得到能够提高耐湿性的半导体模块。

本发明所涉及的半导体模块的特征在于,具有:壳体;半导体芯片,其设置于所述壳体的内部;封装材料,其被注入至所述壳体的内部,对所述半导体芯片进行封装;以及盖,其以与所述封装材料的上表面接触的方式设置于所述壳体的内部,在所述盖的端部的上表面侧设置有锥部,在所述盖的所述端部的侧面与所述壳体的内侧面之间设置有间隙,所述封装材料从所述间隙爬升至所述锥部。

发明的效果

在本发明中,在盖的端部的上表面侧设置锥部,在盖的端部的侧面与壳体的内侧面之间设置间隙,封装材料从间隙爬升至锥部。由此,能够容易地确认封装材料已以不含有气泡的方式填充至壳体的内部,因此能够防止水分从气泡侵入。另外,由于不需要进行树脂注入,因此间隙能够低面积化。因此,由于能够使水分的侵入路径低面积化而降低透水性,因此水分向半导体模块内的侵入量变少,能够提高耐湿性。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的半导体模块的剖面图。

图2是表示实施方式1所涉及的半导体模块的俯视图。

图3是将图2的由虚线包围的部分放大后的俯视图。

图4是表示实施方式1所涉及的半导体模块的制造工序的剖面图。

图5是表示实施方式1所涉及的半导体模块的制造工序的剖面图。

图6是表示实施方式1所涉及的半导体模块的制造工序的剖面图。

图7是表示实施方式2所涉及的半导体模块的盖的剖面图。

图8是表示实施方式2所涉及的半导体模块的剖面图。

图9是表示实施方式2所涉及的半导体模块的制造工序的剖面图。

图10是表示实施方式3所涉及的半导体模块的盖的下表面侧的斜视图。

图11是表示实施方式3所涉及的半导体模块的盖的俯视图。

图12是沿图11的I-II的剖面图。

图13是表示实施方式3所涉及的半导体模块的盖的侧视图。

图14是表示实施方式3所涉及的半导体模块的盖的仰视图。

图15是表示实施方式4所涉及的半导体模块的盖的俯视图。

图16是沿图15的I-II的剖面图。

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