[发明专利]一种晶圆加工方法

权利要求书

1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：

对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理；

对所述晶圆的背面进行减薄处理；

对所述晶圆的背面进行激光改质切割处理；

对所述晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理；及

依据所述切割胶带对所述晶圆进行处理以使所述晶圆被分离成多个芯片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理的步骤包括：

通过C型铲将所述晶圆移送至第一预设位置；

将所述晶圆移送至第一加工工位并对所述晶圆进行旋涂保护液处理；及

将所述晶圆移送至第二加工工位并对所述晶圆进行正面激光开槽处理以形成切割道。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆的背面进行激光改质切割处理的步骤包括：

通过C型铲将所述晶圆移送至第二预设位置；

通过中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第三加工工位并对所述晶圆进行背面激光改质切割处理；

通过所述中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第四加工工位上。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第三加工工位并对所述晶圆进行背面激光改质切割处理的步骤包括：

通过所述中转陶瓷盘将所述晶圆移送至所述第三加工工位上；

将所述晶圆移送至红外相机的下方，使得所述红外相机可透过所述晶圆的背面拍摄并识别所述晶圆的正面图形；

调整所述晶圆直至所述晶圆的背面与竖直方向垂直，所述红外相机对所述晶圆的内部进行激光改质切割处理。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理的步骤包括：

将铁环移送至第四加工工位上，所述第四加工工位移动至预设贴膜位置以使所述切割胶带粘附于所述晶圆以及所述铁环的背离所述第四加工工位的一侧，从而使得所述晶圆与所述铁环贴合；

将粘附有所述铁环的所述晶圆移送至第五加工工位上。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

当所述铁环移送至所述第四加工工位上，使得所述铁环绕所述晶圆布置，且所述铁环的背离所述第四加工工位一侧的表面与所述晶圆的背离所述第四加工工位一侧的表面位于同一平面内。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述切割胶带对所述晶圆进行处理以使所述晶圆被分离成多个芯片的步骤包括：

将扩张环的内环放置在第六加工工位上，将所述扩张环的外环放置在扣紧气缸上，以使所述内环的中心轴线与所述外环的中心轴线共线；

将所述晶圆放置在所述第六加工工位上；

在所述第六加工工位从至少一侧顶压所述切割胶带以使所述晶圆被分离成多个芯片。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆的背面进行减薄处理的步骤之前还包括：

在所述晶圆的正面粘贴保护胶带。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述对所述晶圆的背面进行减薄处理的步骤中，所述晶圆经研磨减薄处理后的厚度尺寸小于或等于400微米。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述晶圆包括硅片。