[发明专利]一种晶圆加工方法

说明书

本申请公开了一种晶圆加工方法，该方法包括以下步骤：对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，对晶圆的背面进行减薄处理，对晶圆的背面进行激光改质切割处理，对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理，依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片。通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中，对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加工方法。

背景技术

将整块的原片晶圆加工成多个分散的芯片，需要经过开槽、切割等多个工艺流程，且每个工艺流程中又涉及到上料、下料等多个小工艺步骤，从而导致晶圆整体的加工工艺流程不够简化。因此，如何简化晶圆的加工工艺流程已成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种晶圆加工方法，其能够有效地简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率。

第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆加工方法；该方法包括：

对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理；

对晶圆的背面进行减薄处理；

对晶圆的背面进行激光改质切割处理；

对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理；及

依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片。

基于本申请实施例的晶圆加工方法，通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中的对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。

在其中一些实施例中，对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理的步骤包括：

通过C型铲将晶圆移送至第一预设位置；

将晶圆移送至第一加工工位并对晶圆进行旋涂保护液处理；及

将晶圆移送至第二加工工位并对晶圆进行正面激光开槽处理以形成切割道。

基于上述实施例，C型铲是针对未贴膜的晶圆而设计的结构，相对于现有技术中的采用吸盘真空吸附的方式吸取带铁环的晶圆而言，有效地避免了因漏气而抓取晶圆失败的可能，用C型铲抓取未贴膜(不带铁环)的晶圆提升了成功抓取晶圆的概率；对晶圆进行旋涂保护液处理，一方面能够清洗掉粘附于晶圆表面上的杂质，另一方面该保护液对晶圆的后续加工处理起保护作用；采用激光扫射于晶圆的正面以形成切割道，相对于现有技术中的采用刀轮等刀具对晶圆的正面进行开槽处理的操作，减少了刀轮等部件的消耗，耗材成本低。

在其中一些实施例中，对晶圆的背面进行激光改质切割处理的步骤包括：

通过C型铲将晶圆移送至第二预设位置；

通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第三加工工位并对晶圆进行背面激光改质切割处理；

通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第四加工工位上。

基于上述实施例，采用C型铲抓取转运晶圆，相对于现有技术中的采用真空吸附的方式抓取转运晶圆而言，提升了成功抓取晶圆的概率从而达到提升晶圆的生产效率的效果；中转陶瓷盘是针对未贴膜的晶圆而设计的结构，采用中转陶瓷盘抓取晶圆，能够有效地增强中转陶瓷盘与晶圆之间的连接稳定性；采用激光扫射晶圆的背面对晶圆进行改质处理，相对于现有技术中的采用刀轮等刀具对晶圆的背面进行切割处理的操作，减少了刀轮等部件的消耗，耗材成本低。

在其中一些实施例中，通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第三加工工位并对晶圆进行背面激光改质切割处理的步骤包括：