[发明专利]一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺在审
申请号: | 202011622861.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112786463A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 郑石磊;郑振军;谈红英 | 申请(专利权)人: | 江苏和睿半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 王普慧 |
地址: | 226532 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 弧度 大面积 集成电路 塑封 生产工艺 | ||
1.一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:将改性环氧模塑料从温度为5~7℃的低温环境下取出,并静置5~10h;
步骤二:将步骤一中的塑料件进行上料,并通过压合成型,压力为120~130kgf/cm2,同时开始注塑;
步骤三:开模,取出材料;
步骤四:通过X-Ray透视机透视检测材料内部是否存在变形、开裂情况;
步骤五:10倍显微镜下观察塑封体外观质量,应无气孔、沙眼和包封未满现象;
步骤六:将材料放置在烘箱,逐步升温,升温速度为3~5℃/min,最高温度为130℃,随后降温至室温。
2.根据权利要求1所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:所述步骤一中的改性环氧模塑料的制备方法为:
S1:按照比例准备高性能酚醛树脂、硅微粉、助剂;
S2:将S1中的原料加入一定比例的水进行搅拌;
S3:将搅拌后的固体放置在模腔内定型;
S4:置于常温,自然冷却。
3.根据权利要求2所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:所述S1中的高性能酚醛树脂、硅微粉、助剂比例为4:2:4。
4.根据权利要求2所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:所述S1中的助剂包括乙基己酸盐、酚盐、苯甲酸盐、硬脂酸盐、聚丙烯、聚乙烯、ABS和抗仲聚苯乙烯。
5.根据权利要求2所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:所述S2中水与高性能酚醛树脂、硅微粉、助剂混合物的比例为2:8,且搅拌速度为80~100r/min,搅拌时间为10~30min。
6.根据权利要求1所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:所述步骤六中降温速度为2~3℃。
7.根据权利要求1所述的一种长引线低弧度大面积薄型集成电路塑封生产工艺,其特征在于:在所述步骤三开模前,模具闭合时间为1~3min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造