[发明专利]电子传输复合膜及其制备方法和发光二极管在审
| 申请号： | 202011624284.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695693A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄盼宁;芦子哲 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 传输 复合 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种电子传输复合膜，其特征在于：包括电子传输层和与所述电子传输层邻接的电子抑制层；
所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团；
所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。
2.如权利要求1所述的电子传输复合膜，其特征在于：所述电子抑制层的材料包括油胺、乙基丙胺、十四胺、十二烷基伯胺中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的电子传输复合膜，其特征在于：所述电子抑制层的厚度为10-20nm。
4.一种电子传输复合膜的制备方法，包括如下步骤：
将电子传输层墨水在基体上形成电子传输湿膜层；
待所述电子传输湿膜层干燥之前，在所述电子传输湿膜层的外表面形成电子抑制湿膜层；
将所述电子传输湿膜层和所述电子抑制湿膜层形成的复合湿膜层进行干燥处理，所述电子传输湿膜层干燥形成电子传输层，所述电子抑制湿膜层干燥形成电子抑制层；且所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团，所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：在所述电子传输湿膜层的外表面形成电子抑制湿膜层的方法包括如下步骤：
将电子抑制材料配制成溶液，并在所述电子传输湿膜层的外表面形成电子抑制湿膜层。
6.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：
在所述溶液中，所述电子抑制材料的浓度为5-10mg/ml；和/或
所述电子抑制材料包括油胺、乙基丙胺、十四胺、十二烷基伯胺中的至少一种；和/或
所述溶液的溶剂与电子传输层墨水的溶剂互溶。
7.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于：待所述电子传输湿膜层处于半干状态或处于半干状态附近时，在半干状态或处于半干状态附近时的所述电子传输湿膜层的外表面形成所述电子抑制湿膜层；和/或
所述干燥处理的温度为120-150℃，时间为30-60min。
8.一种发光二极管，其特征在于：包括发光层和与所述发光层邻接的如权利要求1-3任一所述的电子传输复合膜，
所述电子抑制层位于所述电子传输层与所述量子点层之间。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述量子点层中的量子点和所述电子抑制层的材料的溶解性质相同；和/或
所述量子点层中的量子点和所述电子抑制层的材料均是油溶性的；和/或
所述发光二极管为反型发光二极管。
10.根据权利要求8或9所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为QLED或OLED。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
