[发明专利]电子传输复合膜及其制备方法和发光二极管

说明书

本发明公开了一种电子传输复合膜及其的制备方法和发光二极管。所述电子传输复合膜包括电子传输层和与所述电子传输层邻接的电子抑制层；所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团；所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。所述电子传输复合膜能够有效降低电子传输层的电子注入速率，使得电子注入与空穴注入的载流子更加平衡，而且与发光层界面亲和度好，从而显著提高发光器件的发光性能和稳定性。电子传输复合膜制备方法的条件易控，使得制备的电子传输复合膜性能稳定，制备的效率高，成本低。

技术领域

本发明属于光电技术领域，尤其涉及一种电子传输复合膜及其制备方法和发光二极管。

背景技术

发光二极管如量子点发光二极管器件(Quantum dot light-emitting diodes，QLED)由于其发光层所含的量子点是一种在三个维度尺寸上均被限制在纳米数量级的特殊材料，这种显著的量子限域效应使得量子点具有了诸多独特的纳米性质：发射波长连续可调、发光波长窄、吸收光谱宽、发光强度高、荧光寿命长以及生物相容性好等。这些特点使得量子点在平板显示、固态照明、光伏太阳能、生物标记等领域均具有广泛的应用前景。尤其是在平板显示应用方面，基于量子点材料的量子点电致发光二极管器件借助于量子点纳米材料的特性和优化，已经在显示画质、器件性能、制造成本等方面展现出了巨大的潜力。

虽然近年来发光二极管如QLED器件在各方面的性能不断得到提升，但无论是在器件效率还是在器件工作稳定性等基本器件性能参数上还与产业化应用的要求有相当的差距，这也大大阻碍了发光二极管如量子点电致发光显示技术的发展和应用。

当前，相对于有机传输层结构的发光二极管如量子点发光器件，特别是有机杂化量子点发光二极管具有更佳的器件性能，这种性能的提高得益于高电子迁移率氧化锌纳米颗粒的应用。然而，目前电子传输材料如常用的氧化锌过高的电子迁移率容易造成过多的电子注入，导致量子点发光层出现电子积累的现象，尤其是在有机空穴传输层空穴迁移率较低情况下，空穴的注入不足更是加剧了这种载流子失衡。普遍认为，过多的电荷积累，会增大非发光复合的几率，如通过俄歇复合的过程损失能量，因而极大影响器件性能的稳定性。

因此，调节传输层的载流子迁移率来实现注入的载流子平衡，是实现高效稳定发光二极管的必要选项。常规的方法是选用迁移率较高的有机小分子或导电聚合物，但上述方法均有着不可弥补的缺点，如使用迁移率较高的导电聚合物一般价格昂贵，不利于商业推广，且能级与发光材料如量子点匹配度较差，从而依然导致发光二极管的发光效率不理想。因此，在保证发光二极管发光效率不受到不利影响和不显著增加成本的基础上，如何实现发光二极管如量子点器件的载流子注入平衡来提高器件的发光效率和稳定性是本领域一直努力试图解决的难题。

发明内容

本发明的一个目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种电子传输复合膜及其制备方法和发光二极管，以解决现有电子传输层的电子迁移利过高导致载流子注入不平衡造成发光二极管发光性能不稳定性的技术问题。

为了实现上述发明目的，本发明的一方面，提供了一种电子传输复合膜。所述电子传输复合膜包括电子传输层和与所述电子传输层邻接的电子抑制层；

所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团；

所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。

本发明的另一方面，提供了一种电子传输复合膜的制备方法。所述电子传输复合膜的制备方法包括如下步骤：

将电子传输层墨水在基体上形成电子传输湿膜层；

待所述电子传输湿膜层干燥之前，在所述电子传输湿膜层的外表面形成电子抑制湿膜层；