[发明专利]工件加工用片及经加工工件的制造方法

说明书

本发明的技术问题在于提供一种即使在加热后，也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。作为解决手段，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。第二，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100％以上，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。

技术领域

本发明涉及一种能够适宜地使用于半导体晶圆等工件的加工的工件加工用片，尤其涉及一种能够适宜地使用于包括将工件加工用片以层叠有加工前或加工后的工件的状态加热的工序的工件加工方法的工件加工用片。

背景技术

半导体装置的制造方法通常包括：在工件加工用片上，将作为工件的半导体晶圆单颗化(切割)，得到多个半导体芯片的切割工序；及将得到的半导体芯片从工件加工用片上逐个取下(拾取)的拾取工序。

上述拾取工序中，为了容易进行半导体芯片的拾取，有时进行下述操作：从工件加工用片的与层叠有半导体芯片的面相反的面，将半导体芯片逐个往上推。特别是在上述拾取工序中，为了抑制拾取时半导体芯片彼此冲突并使拾取容易，通常进行下述操作：拉伸(扩展)工件加工用片，从而使半导体芯片彼此分开。因此，要求工件加工用片具有使良好的扩展成为可能的优异的柔软性。

近年来，将工件加工用片以层叠有经单颗化的半导体芯片的状态进行加热的情况不断增多。例如，对工件加工用片上的半导体芯片进行蒸镀、溅镀、用于脱湿的焙烤等处理，或者在高温环境下使用半导体芯片时，进行用于确认高温环境下的可靠性的加热试验。在这种伴有加热的处理中，工件加工用片有时会因加热而熔接于装置等，此时，存在无法将工件加工用片搬送到下一个工序的问题。因此，还要求供于伴有加热的工序的工件加工用片具有规定的耐热性。

作为具有耐热性的工件加工用片的例子，专利文献1中公开了一种耐热切割胶带或片，其通过在玻璃化转变温度为70℃以上的基材的至少一个面上设置以2℃/分钟的升温速度从室温升温至200℃时的热重量减少率小于2％的粘着剂层而成，该粘着剂层由具有规定组成的能量射线固化型粘着剂构成，同时进行包含加热的处理后的粘着力显示规定的值。

此外，作为具有耐热性的工件加工用片的另一个例子，专利文献2中公开了一种耐热性粘着片，其具备：具有规定的热收缩率的基材；及设置在该基材上的具有规定组成的粘着剂层。进一步，专利文献3中公开了一种耐热性粘着片，其具备：具有规定的热收缩率及线膨胀系数的基材；及设置在该基材上的具有规定组成的粘着剂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4781185号

专利文献2：国际公开第2015/174381号

专利文献3：国际公开第2014/199993号

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，专利文献1～3中公开的工件加工用片虽然具有规定的耐热性，但在进行加热处理后，柔软性并不充分。特别是在加热时间为诸如数小时的长时间的情况下，柔软性严重受损。如此，以往的半导体加工用片难以兼顾加热后的优异的操作性与优异的扩展性，若使一个特性优先，则另一个特性容易受损。

本发明鉴于上述实际情况而完成，其目的在于提供一种即使在加热后，也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上(发明1)。